Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные особенности и свойства пленок a-Si : H, полученных методом циклического осаждения

Афанасьев В.П.¹, Гудовских А.С.¹, Коньков О.И.², Казанин М.М.², Коугия К.В.³, Сазанов А.П.¹, Трапезникова И.Н.², Теруков Е.И.²

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургская государственная педиатрическая академия, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 16 ноября 1999 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы пленки аморфного гидрогенизированного кремния, полученные методом циклического осаждения с использованием промежуточного отжига в водородной плазме. Пленки a-Si : H, осажденные в оптимальных режимах, обладают фоточувствительностью (отношение проводимостей при освещении и в темноте достигает значений sigma_ph/sigma_d~10⁷ при освещенности 20 мВт / см² в видимой области спектра), а значения оптической ширины запрещенной зоны (E_g) и энергии активации (E_a) составляют 1.85 и 0.91 эВ соответственно. Микроскопические исследования выявили четко выраженную слоистую структуру пленок a-Si : H и наличие нанокристаллических включений в матрице аморфной фазы.

S. Okamoto, Y. Hishikawa, S. Tsuge et al. Jpn. J. Appl. Phys., 33 (4A), 1773 (1994)
A. Asano. Appl. Phys. Lett., 56 (6), 533 (1990)
M. Otobe, S. Oda. Jpn. J. Appl. Phys., 31 (6B), 1948 (1992)
S. Koynov. Jpn. J. Appl. Phys., 33 (8), 4534 (1994)
В.П. Афанасьев, А.А. Лянгузов, А.П. Сазанов. Петербург. журн. электроники, N 2, 7 (1995)
R. Swanepoel. J. Phys. E: Sci. Instrum., 16, 1214 (1983)
В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, О.И. Коньков, М.М. Казанин, К.В. Коугия, А.П. Сазанов, И.А. Трапезникова, Е.И. Теруков. Матер. X межд. симп. "Тонкие пленки в электронике", Ярославль, 20--25 сентября 1999 г. (Ярославль, Ин-т микроэлектроники РАН, 1999) с. 150
А.А. Андреев, А.В. Андрианов, Б.Я. Авербух, Р. Шавлянов. ФТТ, 38(1) 19 (1996)
О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 38 (1), 110 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель