В рамках модели самосогласованной электрон-деформационной связи показано, что вблизи гетероконтакта механически напряженной сверхрешетки ZnSe/ZnS внутри основной квантовой ямы (ZnSe) и над основным барьером (ZnS) возникают дополнительные периодические локальные электрон-деформационные ямы и барьеры. Установлено, что при толщине наращиваемого слоя ZnSe от 10 до 20 Angstrem энергия основного состояния электрона E_0c монотонно уменьшается с увеличением концентрации электронов проводимости n_c, а при толщине, большей 20 Angstrem, концентрационная зависимость E_0c=f(n_c) имеет немонотонный характер с минимумом, который при увеличении толщины слоя смещается в сторону меньших концентраций n_c.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.