Вышедшие номера
Интерференция носителей тока в модулированных квантовых проволоках
Баграев Н.Т.1, Гельхофф В.2, Иванов В.К.3, Клячкин Л.Е.1, Маляренко А.М.1, Шелых И.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Берлинский технический университет, Берлин, Германия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Впервые исследуется квантованная проводимость в зависимости от энергии носителей тока в модулированных квантовых проволоках. Энергетическая зависимость коэффицента прохождения через модулированную квантовую проволоку рассчитывается в рамках использования delta-потенциала для описания квантовой интерференции носителей тока на сверхрезких внутренних барьерах. Предсказывается возникновение токовых ступенек и осцилляций плато квантованной проводимости, которые должны проявляться как осцилляции кондактанса квантовой проволоки при изменении продольного напряжения. Подобные осцилляции кондактанса, индуцированные квантовой интерференцией баллистических дырок, впервые демонстрируются при регистрации плато квантованной проводимости в зависимости от напряжения, приложенного вдоль модулированной кремниевой квантовой проволоки.