Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 4 » Статья стр. 467
<<<>>>
Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs
Талалаев В.Г.1, Новиков Б.В.1, Вербин С.Ю.1, Новиков А.Б.1, Тхак Динь Шон1, Гобш Г.2, Гольдхан Р.2, Штейн Н.2, Голомбек А.2, Цырлин Г.Э.3, Петров В.Н.3, Устинов В.М.4, Жуков А.Е.4, Егоров А.Ю.4
1Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Physik, Technische Universitat Ilmenau, Ilmenau, Germany
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
PDF версия
Исследованы спектры фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных при сочетании режима субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии, вицинальности подложки и близкого к критическому количества осажденного материала InAs (1.8 монослоев). Исследованы закономерности возникновения и эволюции структуры спектра фотолюминесценции в зависимости от направления и угла разориентации, а также температуры измерений, плотности мощности и спектрального состава возбуждающего излучения. Экспериментально установлена закономерность коротковолнового смещения и сужения полосы фотолюминесценции при увеличении степени вицинальности. Уменьшение размеров квантовых точек и их дисперсии объяснено в рамках представлений о латеральном ограничении квантовых точек на террасах с учетом эффекта складывания моноатомных ступеней. Обнаружен принципиально различный характер температурной зависимости спектрального положения и полуширины полос фотолюминесценции для изолированных и ассоциированных квантовых точек. Для всех низкотемпературных составляющих спектра установлен вклад основных экситонных состояний. По поведению температурной зависимости интегральной интенсивности полос определено участие возбужденного экситонного состояния в формировании спектра рекомбнационного излучения квантовых точек. Дана количественная оценка энергетической структуры разных групп квантовых точек InAs на подложках GaAs с разориентацией направления [001] 7o.
  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  2. Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров., М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 912 (1997)
  3. А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Чжао Чжень, В.Н. Петров, Г.Э. Цырлин, Д. Бимберг, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 95 (1998)
  4. P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64, 1526 (1994)
  5. S. Ruvimov, P. Wener, K. Scheerschmidt, U. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 51, 14 766 (1995)
  6. V.P. Evtikhiev, I.V. Kudryashov, E.Y. Kotel'nikov, V.E. Tokranov, A.N. Titkov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Semiconductors, 32, 1323 (1998)
  7. O. Brandt, L. Tapfer, K. Ploog, R. Bierwolf, M. Hohenstein, F. Phillipp, H. Lage, A. Heberle. Phys. Rev. B, 44, 8043 (1991)
  8. Y. Nabetani, A. Wakahara, A. Sasaki. J. Appl. Phys., 78, 6461 (1995)
  9. L. Brusaferri, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, A. Bignazzi, F. Bogani, L. Carraresi, M. Colocci, A. Bosacchi, P. Frigeri, S. Franchi. Appl. Phys. Lett., 69, 3354 (1996)
  10. M. Colocci, F. Bogani, L. Carraresi, R. Mattolini, A. Bosacchi, S. Franchi, P. Frigeri, M. Rosa-Clot, S. Taddei. Appl. Phys. Lett., 70, 3140 (1997)
  11. H.-W. Ren, K. Nishi, S. Sugou, Y. Masumoto. Japan. J. Appl. Phys., 37, 1548 (1998)
  12. S. Noda, T. Abe, M. Tamura. Phys. Rev. B, 58, 7181 (1998)
  13. G.L. Rowland, T.J.C. Hosea, S. Malik, D. Childs, R. Murray. Appl. Phys. Lett., 73, 3268 (1998)
  14. W.G. Stallard, A.S. Plaut, S. Thoms, M.C. Holland, S.P. Beaumont, C.R. Stanley, M. Hopkinson. Appl. Phys. Lett., 73, 1898 (1998)
  15. Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, В.Г. Дубровский, Н.К. Поляков, С.Я. Типисев, А.О. Голубок, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 902 (1997)
  16. Y. Nabetani, N. Yamamoto, T. Tokuda, A. Sasaki. J. Cryst. Growth, 146, 363 (1995)
  17. S.J. Xu, X.C. Wang, S.J. Chua, C.H. Wang, W.J. Fan, J. Jiang, X.G. Xie. Appl. Phys. Lett., 72, 3335 (1998)
  18. Q.W. Mo, T.W. Fan, Q. Gong, J. Wu, Z.G. Wang, Y.Q. Bai. Appl. Phys. Lett., 73, 3518 (1998)
  19. H. Lee, R. Lowe-Webb, T.J. Johnson, W. Yang, P.C. Sercel. Appl. Phys. Lett., 73, 3556 (1998)
  20. H.-W. Ren, K. Nishi, S. Sugou, M. Sugisaki, Y. Masumoto. Japan. J. Appl. Phys., 36, 4118 (1997)
  21. D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 50, 11 687 (1994)
  22. J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
  23. N. Ikoma, S. Ohkouchi. Japan. J. Appl. Phys., 34, L724 (1995)
  24. O. Brandt, G.C. La Rocca, A. Heberle, A. Ruiz, K. Ploog. Phys. Rev. B, 45, 3803 (1992)
  25. Y. Tokura, H. Saito, T. Fukui. J. Cryst. Growth, 94, 46 (1989)
  26. В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, Ф. Накамура, М. Ичида. ФТП, 32, 860 (1998)
  27. M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 11 969 (1995)
  28. P.M. Petroff, K.H. Schmidt, G.M. Ribeiro, A. Lorke, J. Kotthaus. Japan. J. Appl. Phys., 36, 1068 (1997)
  29. T. Ide, A. Yamashita, T. Mizutani. Phys. Rev. B, 46, 1905 (1992)
  30. G.M. Guryanov, G.E. Cirlin, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Surf. Sci., 352--354, 646 (1996)
  31. M. Grundmann, R. Heitz, N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Superlatt. Microstruct., 19, 81 (1996)
  32. M.A. Cusack, P.R. Briddon, M. Jaros. Phys. Rev. B, 54, R2300 (1996)
  33. N.N. Ledentsov, P.D. Wang, C.M. Sotomayor Torres, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev. Phys. Rev. B, 50, 12 171 (1994)
  34. S. Raymond, S. Fafard, P.J. Poole, A. Wojs, P. Hawrylak, S. Charbonneau, D. Leonard, R. Leon, P.M. Petroff, J.L. Merz. Phys. Rev. B, 54, 11 548 (1996)
  35. S.Yu. Verbin, B.V. Novikov, R.B. Juferev, Yu. Stepanov, A.B. Novikov, Dinh Son Thach, I. Shchur, V.G. Talalaev, G. Gobsch, R. Goldhahn, N. Stein, A. Golombek, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, V.M. Ustinov. Proc. 7th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1999) p. 63
  36. M.J. Steer, D.J. Mowbray, W.R. Tribe, M.S. Skolnick, M.D. Sturge, M. Hopkinson, A.G. Cullis, R. Whitehouse, R. Murray. Phys. Rev. B, 54, 17 738 (1996)
  37. T. Saitoh, H. Takeuchi, J. Konda, K. Yoh. Japan. J. Appl. Phys., 35, 1217 (1996)
  38. A. Bossacchi, F. Colonna, S. Franchi, P. Pascarella, P. Allegri, V. Avanzini. J. Cryst. Growth, 150, 185 (1995)
  39. K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara. Appl. Phys. Lett., 70, 2416 (1997)
  40. Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 67, 7034 (1990)
  41. W. Yang, R.R. Lowe-Webb, H. Lee, P.C. Sercel. Phys. Rev. B, 56, 13 314 (1997)
  42. P.B. Joyce, T.J. Krzyzewski, G.R. Bell, B.A. Joyce, T.S. Jones. Phys. Rev. B, 58, R15981 (1998)
  43. P. Chen, Q. Xie, A. Madhukar, L. Chen, A. Konkar. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 2568 (1994)
  44. H. Saito, K. Nishi, S. Sugou. Appl. Phys. Lett., 73, 2742 (1998)
  45. G.D. Lian, J. Yuan, L.M. Brown, G.H. Kim, D.A. Ritchie. Appl. Phys. Lett., 73, 49 (1998)
  46. J.M. Garcia, T. Mankad, P.O. Holtz, P.J. Wellman, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 72, 3172 (1998)
  47. A.J. Williamson, A. Zunger. Phys. Rev. B, 58, 6724 (1998)
  48. A.J. Williamson, A. Zunger, A. Canning. Phys. Rev. B, 57, R4253 (1998)
  49. I.E. Itskevich, S.G. Lyapin, I.A. Troyan, P.C. Klipstein, L. Eaves, P.C. Main, M. Henini. Phys. Rev. B, 58, R4250 (1998)
  50. F. Hatami, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, F. Heinrichsdorf, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, S.V. Ivanov, B.Y. Meltser, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 67, 656 (1995)
  51. D.I. Lubyshev, P.P. Gonzalez-Borrero, E. Marega, Jr., E. Petitprez, N. La Scala, Jr., P. Basmaji. Appl. Phys. Lett., 68, 205 (1996)
  52. G. Wang, S. Fafard, D. Leonard, J.E. Bowers, J.L. Merz, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 64, 2815 (1994)
  53. P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, I.N. Yassievich, A. Pakhomov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 50, 1604 (1994)
  54. M. Bayer, S.N. Walck, T.L. Reinecke, A. Forchel. Phys. Rev. B, 57, 6584 (1998)
  55. M.A. Cusack, P.R. Briddon, M. Jaros. Phys. Rev. B, 56, 4047 (1997)
  56. H. Jiang, J. Singh. Phys. Rev. B, 56, 4696 (1997)
  57. P.N. Brounkov, A. Polimeni, S.T. Stoddart, M. Henini, L. Eaves, P.C. Main, A.R. Kovsh, Y.G. Musikhin, S.G. Konnikov. Appl. Phys. Lett., 73, 1092 (1998)
  58. H. Lee, W. Yang, P.C. Sercel. Phys. Rev. B, 55, 9757 (1997)
  59. F. Bogani, L. Carraresi, R. Mattolini, M. Colocci, A. Bosacchi, S. Franchi. Sol. St. Electron., 40, 363 (1996)
  60. H. Yu, S. Lycett, C. Roberts, R. Murray, Appl. Phys. Lett., 69, 4087 (1996)
  61. J. Kim, L.-W. Wang, A. Zunger. Phys. Rev. B, 57, R9408 (1998)
  62. R. Heitz, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, L. Eckey, M. Veit, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Y. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68, 361 (1996).
  63. S. Fafard, D.Leonard, J.L. Merz, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 65, 1388 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme