Вышедшие номера
Механизмы распада твердого раствора InGaAlAs, стимулированного квантовыми точками InAs
Цацульников А.Ф.1, Воловик Б.В.1, Бедарев Д.А.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Малеев Н.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Устинов В.М.1, Берт Н.А.1, Копьев П.С.1, Бимберг Д.1, Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

Проведено исследование механизмов распада твердого раствора InGaAlAs, стимулированного преднамеренным осаждением слоя квантовых точек InAs. Распад твердого раствора вызывает увеличение эффективного размера квантовых точек и смещение линии фотолюминесценции сплоть до 1.3 мкм. При введении в твердый раствор атомов Al наблюдается эффект "консервации" атомов In внутри квантовых точек, также приводящий к эффективному увеличению их размера.