Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 9 » Статья стр. 1109
<<<>>>
Аккумуляция основных носителей заряда в слоях GaAs, содержащих наноразмерные кластеры мышьяка
Брунков П.Н.1, Чалдышев В.В.1, Черниговский А.В.1, Суворова А.А.1, Берт Н.А.1, Конников С.Г.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 29 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
PDF версия
С помощью вольтъемкостных исследований выявлена аккумуляция электронов и дырок в слоях GaAs, содержащих кластеры мышьяка и помещенных между буферными слоями GaAs n- и p-типа. В результате аккумуляции основных носителей заряда в прилегающих буферных слоях формируются обширные области обеднения. Моделирование вольтъемкостных характеристик, основанное на численном решении уравнения Пуассона, показало, что концентрация аккумулированных зарядов составляет ~1x1012 см-2, что сравнимо с концентрацией наноразмерных кластеров As, определенной методом просвечивающей электронной микроскопии.
  1. F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. IEEE Electron. Dev. Lett., 9, 77 (1988)
  2. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
  3. M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991)
  4. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  5. В.В. Чалдышев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, О.П. Пчеляков, А.В. Хан, В.Г. Канаев, Л.С. Широкова, А.В. Голиков, В.А. Кагадей, Ю.В. Лиленко, Н.В. Карпович. Электронная промышленность. N 1-2, 154 (1998)
  6. P.N. Brounkov, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, N.A. Bert, S.G. Konnikov, A.V. Chernigovskii, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Appl. Phys. Lett., 73, 2796 (1998)
  7. П.Н. Брунков, В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.А. Суворова, С.Г. Конников, А.В. Черниговский, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 32, 1170 (1998)
  8. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  9. П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев. ФТП, 30, 924 (1996)
  10. П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, С.Г. Конников, Л. Ивс, П.С. Майн. ФТП, 32, 1229 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme