Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотовольтаический эффект в гетероструктурах a-Si : H / n-InSe

Бекимбетов Р.Н.¹, Николаев Ю.А.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹, Теруков Е.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 21 марта 2000 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Осаждением пленок a-Si : H на поверхность (001) монокристаллических пластин InSe, а также осаждением пленок чистого индия с их последующей селенизацией синтезированы пленки InSe на поверхности a-Si : H и выращены гетероструктуры в системе a-Si : H / InSe. Обнаружен и исследован фотовольтаический эффект для обоих типов гетероструктур. Сделан вывод о перспективах применения полученных гетероструктур в качестве широкополосных фотопреобразователей излучения.

I.V. Bodnar, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. Cryst. Res. Technol., 31, 261 (1996)
V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', S. Iida, M. Morohashi-Yamazaki, H. Uchiki, N. Mamedov. Inst. Phys. Conf. Ser. 152, 967 (1997)
M.C. Ohmer, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', P.G. Schuhemann. Abstracts 24th Int. Conf. on the Physics Semicond. Aug. 2--7, 1998 (Jerusalem, Israel) v. 2, Th-P213
А.А. Лебедев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 32, 353 (1998)
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ф. Гременок, И.В. Боднарь, Р.Н. Бекимбетов. ФТП, 33, 1205 (1999)
Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 818 (2000)
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М. Сов. радио, 1979)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices II-Materials and Devices Physics, ed. by J. Kamaki (Artech Hause, Boston--London, 1992)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель