"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нестационарный фотомагнитный эффект в многослойных структурах с p-n-переходами
Агарев В.Н.1, Стафеев В.И.1
1Государственное унитарное предприятие НПО "Орион", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Проведен анализ нестационарного напряжения, возникающего в супермногослойной структуре, представляющей собой последовательно включенные p-n-переходы, после подачи на нее смещения. Показано, что в таких структурах при освещении в магнитном поле возможно возникновение нестационарного фотомагнитного эффекта очень большой величины.
  1. В.И. Стафеев. ФТП, 6, 2134 (1972)
  2. В.Н. Агарев. Письма ЖТФ, 3 (13), 626 (1977)
  3. В.Н. Агарев. ФТП, 14, 1018 (1980)
  4. В.Н. Агарев. ФТП, 31, 920 (1997)
  5. Э.И. Адирович, Д.А. Аронов, Э.М. Мастов, Ю.М. Юабов. ФТП, 8, 354 (1974)
  6. Э.И. Адирович, Э.М. Мастов, Ю.М. Юабов. ФТП, 5, 1415 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.