Плотность мощности оптической деградации зеркал InGaAs/AlGaAs/GaAs-лазерных диодов
Котельников Е.Ю.1, Кацнельсон А.А.1, Кудряшов И.В.1, Растегаева М.Г.1, Рихтер В.2, Евтихиев В.П.1, Тарасов И.С.1, Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Friederich-Shiller University, Jena, Germany
Поступила в редакцию: 11 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии изготовлены двойные лазерные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs раздельного ограничения с квантовой ямой. Изучение характеристик лазерных диодов с широким контактом (100 мкм) показало, что мощность катастрофической деградации зеркал может достигать практически тех же рекордных значений (20 MBт/см2), которые были получены ранее только для лазерных диодов на основе гетероструктур InGaAsP/GaAs.
- D. Botez. Appl. Phys. Lett., 74, 3102 (1999)
- В.П. Евтихиев, Е.Ю. Котельников, И.В. Кудряшов, В.Е. Токранов, Н.Н. Фалеев. ФТП, 33, 634 (1999)
- A.Al. Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connoly. Appl. Phys. Lett., 71, 1182 (1997)
- X. He, S. Srinivasan, S. Wilson, C. Mitchel, R. Patel. Electron. Lett., 34, 2126 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
