"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О природе термополевой асимметрии процессов ионной поляризации / деполяризации окисла Si-МОП структур
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

На основе представлений о существенной роли поверхностной нейтрализации положительных ионов на границах окисного слоя в процессах ионного транспорта в диэлектрическом промежутке МОП структур анализируется природа резкой асимметрии температурных и временных характеристик объемно-зарядовой ионной поляризации / деполяризации изолятора. Нейтрализация ионов происходит вследствие туннельного захвата электронов из полупроводникового и металлического контактов. Полученные в широком диапазоне изменения потенциала затвора Vg экспериментальные данные по термостимулированной и изотермической поляризации окисла Si-МОП структур последовательно подтверждают модель асимметрии, учитывающую более высокую степень нейтрализации ионов и более сильную их связь с электронами у поверхности металла (затвора), чем у поверхности полупроводника. Переходные процессы при поляризации обнаруживают три стадии. Первая из них связана с транспортом не нейтрализованных (свободных) ионов; на начальных этапах термостимулированной и изотермической поляризации при Vg=const ионы перемещаются в окисле в пролетном режиме. На второй стадии имеет место переход от режима дрейфа свободных ионов к режимам гиперболической и (или) экспоненциальной кинетики релаксации, когда ток практически перестает зависеть от поля, температуры и скоростей полевой или температурной развертки и становится однозначной функцией реального времени. Закон релаксации определяется при этом темпом туннельной ионизации нейтральных ассоциатов ион + электрон и (или) их диффузией и термораспадом в объеме диэлектрика.
  1. M. Yamin. IEEE Trans. Electron. Dev., 12, 88 (1965)
  2. M. Kuhn, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci., 118, 966 (1971)
  3. A.G. Tangena, N.F. de Rooij, J. Middelhock. J. Appl. Phys., 49, 5576 (1978)
  4. T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
  5. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 31, 1468 (1997)
  6. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33, 962 (1999)
  7. G.S. Horner, M. Kleefstra, T.G. Miller, M.A. Peters. Sol. St. Technol., No 6,79 (1995)
  8. Г.Я. Красников. Электрон. техн., сер. 3, N 1, 67 (1996)
  9. T. Shimatani, S. Pidin, M. Koyanagi. J. J. Appl. Phys., 36, part 1, No 3B, 1659 (1997)
  10. Г.В. Чучева. Автореф. канд. дис. (М., 1998).
  11. E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., John Willey @ Sons, 1982)
  12. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33, 933 (1999)
  13. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
  14. K.H. Nickolas, J. Woods. Brit. J. Appl. Phys., 15, 783 (1964)
  15. L.I. Grossweiner. J. Appl. Phys., 24, 1306 (1953)
  16. А.Г. Ждан, Н.А. Лушников. ФТП, 16, 793 (1982)
  17. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  18. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  19. T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
  20. M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
  21. S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13, 222 (1966)
  22. G. Greeuw, J.F. Verwey. J. Appl. Phys., 56, 2218 (1984)
  23. Е.И. Гольдман. ФТП, 34, (2000) (в печати).
  24. K. Vanhensden, W.L. Warren, R.A.B. Devine, D.M. Fleetwood, J.R. Schwank, M.R. Shaneyfeet, P.S. Winokur, T.J. Lemnios. Nature, 368, 587 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.