"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Подвижность носителей заряда в кристаллах n-CdxHg1-xTe в условиях динамического ультразвукового нагружения
Власенко А.И.1, Олих Я.М.1, Савкина Р.К.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 9 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

Исследовалась холловская подвижность носителей в кристаллах n-CdxHg1-xTe в условиях динамической ультразвуковой нагрузки (WUS=<104 Вт/м2, f=5/7 МГц). Обнаружено, что в поле ультразвуковой деформации происходит увеличение подвижности носителей в области примесной проводимости (T<120 K), причем величина акустостимулированного изменения muH тем больше, чем менее структурно совершенным является кристалл, и уменьшение - в области собственной проводимости (T>120 K) для всех исследованных образцов. Проведен анализ возможных механизмов ультразвукового влияния на muH с учетом рассеяния на оптических фононах, ионизированных примесях, сплавном потенциале и с учетом условий токопрохождения в кристалле. Показано, что в области примесной проводимости основной причиной акустостимулированного увеличения холловской подвижности носителей является сглаживание макроскопического внутрикристаллического потенциала, обусловленного неоднородностью исследованных кристаллов, а в области собственной проводимости уменьшение подвижности определяется увеличением интенсивности рассеяния на оптических фононах.
  1. К.А. Мысливец, Я.М. Олих. ФТТ, 32, 2912 (1990)
  2. П.И. Баранский, А.Е. Беляев, С.М. Комиренко, Н.В. Шевченко. ФТТ, 32, 2159 (1990)
  3. А.В. Любченко, Я.М. Олих. ФТТ, 33, 788 (1985)
  4. О.I. Власенко, Я.М. Олiх, Р.К. Савкiна. УФЖ. 44, 618 (1999)
  5. А.И. Власенко, Я.М. Олих, Р.К. Савкина. ФТП, 33, 410 (1999)
  6. А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 25, 1318 (1980)
  7. Y.Y. Dubowski, T. Dietl, W. Szymanska, R.R. Galaska. J. Phys. Chem. Sol. 42, 351 (1981)
  8. W. Szymanska, T. Dietl. J. Phys. Chem. Sol., 39, 1025 (1978)
  9. А.И. Власенко, К.Р. Курбанов, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 25, 1392 (1980)
  10. С.Г. Гасан-заде. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 33, 91 (1998)
  11. А.И. Власенко, В.В. Горбунов, А.В. Любченко. УФЖ, 29, 423 (1984)
  12. И.Р. Гороховский, А.К. Лауринавичюс, Ю.К. Пожела, Е.И. Рашевская, Р.Р. Резванов. ФТП, 21, 1998 (1987)
  13. П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский. Вариационный метод в кинетической теории (Киев, Наук. думка, 1992)
  14. J. Kossut. Phys. St. Sol., (b), 86, 593 (1978)
  15. D. Chattopadhyay, B.R. Nag. Phys. Rev. B, 12, 5676 (1975)
  16. L. Makowski, M. Glicksman. J. Phys. Chem. Sol., 34, 487 (1973)
  17. Y.Y. Dobowski. Phys. St. Sol. (b), 85, 663 (1978)
  18. K.C. Hass, H. Ehrenreich, B. Velicky. Phys. Rev. B, 27, 1088 (1983)
  19. P. Moravec, R. Grill, J. Franc, P. Hoschl, E. Belas. Proc. SPIE, 3890, 307 (1999)
  20. F.J. Bartoli, C.A. Hoffman, J.R. Meyer. J. Vac. Sci. Technol. A, 1, 1669 (1983)
  21. M.A. Kinch, M.J. Brau, A. Simmons. J. Appl. Phys., 44, 1649 (1973)
  22. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
  23. H. Oszwaldowski. J. Phys. Chem. Sol., 46, 791 (1985).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.