"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Аномальная дисперсия, дифференциальное усиление и дисперсия alpha-фактора в напряженных квантово-размерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs
Богатов А.П.1, Болтасева А.Е.2, Дракин А.Е.1, Белкин М.А.2, Коняев В.П.3
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
3ГП НИИ "Полюс", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Предложена и реализована новая методика экспериментального определения дифференциального усиления и дисперсии коэффициента амплитудно-фазовой связи в полупроводниковых инжекционных лазерах. С помощью этой методики найдены значения alpha-фактора и дифференциального усиления для квантово-размерных полупроводниковых лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной квантовой ямой в широком спектральном диапазоне (от 957 до 996 нм) при разных плотностях тока накачки (от 280 до 850 А/см2). Впервые для InGaAs-лазеров экспериментально найден коэффициент, характеризующий дисперсию групповой скорости и ограничивающий минимальную длительность импульса генерации на уровне 10-13 с.
  1. H. Henry. IEEE J. Quant. Electron., QE-18, 259 (1982)
  2. K. Vahala, A. Yariv. IEEE J. Quant. Electron., QE-19, 1096 (1983)
  3. K. Vahala, L.C. Chiu, S. Margalit, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 42, 631 (1983)
  4. R.J. Lang, D. Mehuys, D.F. Welch, L. Golgberg. IEEE J. Quant. Electron., QE-30, 685 (1994)
  5. A. Bogatov. SPIE, 2399, 456 (19)
  6. T.L. Koch, J.E. Bowers. Electron. Lett., 20, 1038 (1984)
  7. N.K. Dutta, G.P. Agrawal. Long-Wavelenght Semicond. Lasers, 264 (1986)
  8. J. Hader, D. Bosset, J. Stohs, W.W. Chow, S.W. Koch, J.W. Moloney. Appl. Phys. Lett., 74, 2277 (1999)
  9. S.A. Anson, J.T. Olesbereg, Michael E. Flatte, T.C. Hasenberg, T.F. Boggress. J. Appl. Phys., 86, 713 (1999)
  10. H. Wenzel, G. Erbert, P.M. Enders. IEEE J. Selected Topics Quant. Electron., 5, 637 (1999)
  11. N.K. Dutta, J. Wynn, D.L. Sivco, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 56, 2293 (1990)
  12. N.K. Dutta, H. Temkin, T. Tanbun-Ek, R. Logan. Appl. Phys. Lett., 57, 1390 (1990)
  13. R. Raghuraman, N. Yu., R. Engelmann, H. Lee, C.L. Shieh. IEEE J. Quant. Electron., QE-29, 69 (1993)
  14. K. Kikuchi, M. Amano, C.E. Zah, T.P. Lee. IEEE J. Quant. Electron., QE-30, 571 (1994)
  15. О.В. Данилина, А.С. Логгинов. Квант. электрон., 22, 1079 (1995)
  16. В.П. Коняев, В.Д. Курносов, В.Н. Лукьянов, А.Г. Плявенек, М.В. Шраменко, С.Д. Якубович. Квант. электрон., 21, 1137 (1994)
  17. T.C. Newell, D.J. Bossert, A. Stintz, B. Fuchs, K.J. Malloy, L.F. Lester. IEEE Photonics Technol. Lett., 11, 1527 (1999)
  18. А.П. Богатов, А.Е. Болтасева, А.Е. Дракин, М.А. Белкин, В.П. Коняев. Квант. электрон., 30 (2000) (в печати)
  19. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
  20. W.X. Zou, J.L. Merz, L.A. Coldren. J. Appl. Phys., 72, 5047 (1992)
  21. В.В. Безотосный, А.П. Богатов, Л.М. Долгинов, А.Е. Дракин, П.Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б.Н. Свердлов, Е.Г. Шевченко. Тр. ФИАН, 141, 18 (1983)
  22. T. Paoli, B. Hakki. J. Appl. Phys., 44, 4113 (1973)
  23. D.T. Cassidy. J. Appl. Phys., 56, 3096 (1984)
  24. L.D. Westbrook. IEE Proc., 133, 135 (1986)
  25. J.P. van der Ziel, R.A. Logan. IEEE J. Quant. Electron., 19, 164 (1983)
  26. С.А. Ахманов, С.Ю. Никитин. Физическая оптика (М., Изд-во МГУ, 1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.