"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О механизме образования пористого кремния
Горячев Д.Н.1, Беляков Л.В.1, Сресели О.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Предложен новый, рассматриваемый на качественном уровне, механизм зарождения и начальных стадий роста пор при образовании пористого кремния ( por-Si). При этом основное внимание уделено реакции взаимного обмена зарядами между ионами Si2+, образующимися при электролитическом или химическом окислении исходного кремния (реакции диспропорционирования). Предлагаемый механизм в значительной степени устраняет многие противоречия, присущие ранее предложенным схемам образования por-Si, и, в частности, объясняет особенности морфологии por-Si, получаемого в различных экспериментальных условиях. Значительное внимание уделено влиянию освещения в этих процессах.
  1. A. Uhlir. Bell. Syst. Tech. J., 35, 333 (1956)
  2. R.L. Smith, S.D. Collins. J. Appl. Phys., 71, R1 (1992)
  3. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1991)
  4. M.J.J. Theunissen. J. Electrochem. Soc., 119, 351 (1972)
  5. Кремний, сб. под ред. Д.А. Петрова (М., ИЛ, 1960)
  6. P. Allongue, V. Costa-Keiling, H. Gerischer. J. Electrochem. Soc., 140, 1009 (1993)
  7. Y. Kang, J. Jorne. J. Electrochem. Soc., 140, 2258 (1993)
  8. A. Valance. Phys. Rev. B, 52, 8323 (1995); Phys. Rev. B, 55, 9706 (1997)
  9. P. Allongue, C.H. de Villeneuve, L. Pinsard, M.C. Bernard. J. Appl. Phys., 67, 941 (1995)
  10. J.E. Peou, C.H. de Villeneuve, F. Boutry-Forveille, C. Levy-Klement, P. Allongue. In: Pits and Pores: Formation, Properties, and Significance for Advanced Luminescent Materials, ed. by P. Schmuki and al. [ Electrochem. Soc. Proc. (Pennington, USA, 1997) v. 97-7, p. 83]
  11. C. Levy-Clement, A. Logoubi, M. Tomkiewicz. J. Electrochem. Soc., 141, 958 (1994)
  12. E.S. Kooij, D. Vanmaekelbergh, J.J. Kelly. In: Pits and Pores: Formation Properties, and Significance for Advanced Luminescent Materials, ed. by P. Schmuki et al. [ Electrochem. Soc. Proc. (Pennington, USA, 1997) v. 97-7, p. 70]
  13. A.G. Cullis, L.T. Canham, D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  14. P.M. Faushet. In: Pits and Pores: Formation Properties, and Significance for Advanced Luminescent Materials, ed. by P. Schmuki et al. [ Electrochem. Soc. Proc. (Pennington, USA, 1997) v. 97-7, p. 27]
  15. O. Teschke, M.S. dos Santos, M.U. Kleinke, D.M. Soares, D.S. Galvao. J. Appl. Phys., 78, 590 (1995)
  16. Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП, 31, 1383 (1997) [Semiconductors, 31, 1192 (1997)]
  17. D.R. Turner. In: The Electrochemistry of Semiconductors, ed. by P.J. Holms (Academic, London, 1962)
  18. R. Memming, G. Schwandt. Surf. Sci., 4, 109 (1966)
  19. L.M. Peter, D.J. Blackwood, S. Pons. Phys. Rev. Lett., 62, 308 (1989)
  20. J. Eddowes. J. Electroanal. Chem., 280, 297 (1990)
  21. D. Brumhead, L.T. Canham, D.M. Seekings, P.J. Tufton. Electrochem. Acta, 38, 191 (1993)
  22. F. Kozlowski, W. Lang. J. Appl. Phys., 72, 5401 (1992)
  23. R.B. Wehrspohn, J.-N. Chazalviel, F. Ozanam, I. Solomon. Thin Sol. Films, 297, 5 (1997)
  24. Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1961 (1993) [Semiconductors, 27, 1078 (1993)]
  25. P. Steiner, F. Kozlovski, W. Lang. IEEE Electron. Dev. Lett., 14, 317 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.