"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10546
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
45
Распределение количества просмотров по годам:
558304
525094
509194
457064
395069
379935
350428
311052
383357
486715
481220
439646
439277
447510
430834
444343
465302
473667
414932
442096
413750
531521
541689
533257
508000
551642
555038
534664
507036
463212
362161
258552
137400
46531
2384
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
953
195
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
175
159
167
148
175
163
182
187
188
227
155
217
211
213
239
253
286
242
279
274
295
249
323
261
57

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2007 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Zamoryanskaya M.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
6
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Kolesnikova E.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
4
Yakimov E.B.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
4
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный центр "Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН", Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Хохлов Д.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Kittler M.
IHP, Frankfurt (Oder), Germany
IHP/BTU Joint Lab, Cottbus, Germany
3
Arguirov T.
IHP, Frankfurt (Oder), Germany
IHP/BTU Joint Lab, Cottbus, Germany
3
Sitnikova A.A.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Редькин А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Якимов Е.Е.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Barthou C.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Гергель В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Borisov S.S.
M.V. Lomonosov Moscow State University, Physical Department, Moscow, Russia
3
Zaitsev S.I.
Institute of Problems of Microelectronic Technology, Chernogolovka, Moscow region, Russia
3
Konnikov S.G.
Ioffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Свечникова Т.Е.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Гременок В.Ф.
Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Соколовский И.О.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Хомылев М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Борщев К.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный центр "Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН", Санкт-Петербург, Россия
3
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Люблинская О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Налет Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Аванесян В.Т.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Сизов Ф.Ф.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Богданова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Кадушкин В.И.
Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
2
Jia G.
IHP/BTU Joint Lab, Konrad Wachsmann Allee 1, Cottbus, Germany
BTU Cottbus, Konrad Wachsmann Allee 1, Cottbus, Germany
2
Fitting H.-J.
Institute of Physics, University of Rostock, Rostock, Germany
2
Salh Roushdey
Institute of Physics, University of Rostock, Rostock, Germany
2
Schmidt B.
Research Center Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, P.O. Box, Dresden, Germany
2
Seifert W.
IHP, Frankfurt (Oder), Germany
IHP/BTU Joint Lab, Cottbus, Germany
2
Sokolov V.I.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Vergeles P.S.
Institute of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
2
Sosnov E.A.
St. Petersburg State Technological Institute, St. Petersburg, Russia
2
Malygin A.A.
St. Petersburg State Technological Institute, St. Petersburg, Russia
2
Bobyl A.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Petrova M.A.
Khlopin Radium Institute, St. Petersburg, Russia
2
Зуев В.В.
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
2
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Рябова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Абросимов Н.В.
Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Маковей З.И.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Бартхоу К.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лантратов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вейнгер А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тиснек Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Голощапов С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щелева И.М.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Якупов М.Н.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Улин В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Baryshev S.V.
Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, Saint-Petersburg, Russia
2
Sokolov R.V.
Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, Saint-Petersburg, Russia
2
Горкавенко Т.В.
Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев-22, Украина
2
Зубкова С.М.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Русина Л.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Рогозин И.В.
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Цэндин К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Костина Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белякова Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Аргунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Головань Л.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Брудный В.Н.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Слынько В.Е.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Сидор О.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Катеринчук В.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Лазарук С.К.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Лабунов В.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Борисенко В.Е.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Чучева Г.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Широков С.С.
Научно-производственный центр оптико-электронных приборов "ОПТЭЛ", Москва, Россия
2
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Житинская М.К.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильчук Г.А.
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Кусьнэж В.В.
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Петрусь Р.Ю.
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Украинец В.О.
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Тиванов М.С.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Зарецкая Е.П.
Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Залесский В.Б.
Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Леонова Т.Р.
Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Конин А.
Институт физики полупроводников, L Вильнюс, Литва
2
Драпак С.И.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Горбань А.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Костылев В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Ковш А.Р.
NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
2
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institute for Solid State Physics, Technical University of Berlin, Berlin, Germany
2
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Капитонов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бондарев А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дерябин А.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный центр "Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН", Санкт-Петербург, Россия
2
Терентьев Я.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Поклонский Н.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Вырко С.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Айзенштат Г.И.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Лелеков М.А.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Толбанов О.П.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кузнецов О.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Белогорохов И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тихонов Е.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Бреусова М.О.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Пушкарев В.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Зотеев А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Томилова Л.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Бирюков А.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Некоркин С.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Кочаровский В.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Department of Physics and Institute for Quantum Studies, Texas A & M University, TX, USA
2
Кочаровский Вл.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шленский А.А.
Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (ГИРЕДМЕТ), Москва, Россия
2
Баранова Е.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Бордовский Г.А.
Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Марченко А.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Грабко Г.И.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Ястребов С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пожела Ю.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Пожела К.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Юцене В.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Школьник А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малышев С.А.
Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, Минск, Республика Беларусь
1
Календра В.
Кафедра физики полупроводников и Институт материаловедения и прикладных наук, Вильнюсский университет, L Вильнюс, Литва
1
Seacrist M.
MEMC Electronic Materials, MO St. Peters, USA
1
Burylova I.V.
Tsiolkovsky Kaluga State Pedagogical University, Kaluga, Russia
1
Trofimov A.N.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Забродская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Панкин К.Е.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Симаков В.А.
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
1
Водяницкий А.И.
Институт химии поверхности, Киев, Украина
1
Ромака В.А.
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
1
Долбик А.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Тандоев А.Г.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
1
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
79
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
17
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
14
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
11
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
9
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
9
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
8
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
6
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
4
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
4
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников, L Вильнюс, Литва
2
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Institute of Physics, University of Rostock, Rostock, Germany
2
Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
2
Institute of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
2
St. Petersburg State Polytechnical University, St. Petersburg, Russia
2
St. Petersburg State Technological Institute, St. Petersburg, Russia
2
M.V. Lomonosov Moscow State University, Physical Department, Moscow, Russia
2
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Государственное унитарное научно-производственное предприятие "Электрон-Оптроник", Санкт-Петербург, Россия
1
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
1
Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
1
Государственный инженерный университет Армении, Ереван, Армения
1