Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Zamoryanskaya M.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
6
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Kolesnikova E.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
4
Yakimov E.B.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
4
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный центр "Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН", Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Хохлов Д.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Kittler M.
IHP, Frankfurt (Oder), Germany
IHP/BTU Joint Lab, Cottbus, Germany
3
Arguirov T.
IHP, Frankfurt (Oder), Germany
IHP/BTU Joint Lab, Cottbus, Germany
3
Sitnikova A.A.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Редькин А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Якимов Е.Е.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Barthou C.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Гергель В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Borisov S.S.
M.V. Lomonosov Moscow State University, Physical Department, Moscow, Russia
3
Zaitsev S.I.
Institute of Problems of Microelectronic Technology, Chernogolovka, Moscow region, Russia
3
Konnikov S.G.
Ioffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Свечникова Т.Е.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Гременок В.Ф.
Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Соколовский И.О.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Хомылев М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Борщев К.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный центр "Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН", Санкт-Петербург, Россия
3
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Люблинская О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Налет Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Аванесян В.Т.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Сизов Ф.Ф.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Богданова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Кадушкин В.И.
Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
2
Jia G.
IHP/BTU Joint Lab, Konrad Wachsmann Allee 1, Cottbus, Germany
BTU Cottbus, Konrad Wachsmann Allee 1, Cottbus, Germany
2
Fitting H.-J.
Institute of Physics, University of Rostock, Rostock, Germany
2
Salh Roushdey
Institute of Physics, University of Rostock, Rostock, Germany
2
Schmidt B.
Research Center Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, P.O. Box, Dresden, Germany
2
Seifert W.
IHP, Frankfurt (Oder), Germany
IHP/BTU Joint Lab, Cottbus, Germany
2
Sokolov V.I.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Vergeles P.S.
Institute of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
2
Sosnov E.A.
St. Petersburg State Technological Institute, St. Petersburg, Russia
2
Malygin A.A.
St. Petersburg State Technological Institute, St. Petersburg, Russia
2
Bobyl A.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Petrova M.A.
Khlopin Radium Institute, St. Petersburg, Russia
2
Зуев В.В.
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
2
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Рябова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Абросимов Н.В.
Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Маковей З.И.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Бартхоу К.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лантратов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вейнгер А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тиснек Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Голощапов С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щелева И.М.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Якупов М.Н.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Улин В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Baryshev S.V.
Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, Saint-Petersburg, Russia
2
Sokolov R.V.
Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, Saint-Petersburg, Russia
2
Горкавенко Т.В.
Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев-22, Украина
2
Зубкова С.М.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Русина Л.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Рогозин И.В.
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Цэндин К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Костина Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белякова Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Аргунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Головань Л.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Брудный В.Н.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Слынько В.Е.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Сидор О.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Катеринчук В.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Лазарук С.К.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Лабунов В.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Борисенко В.Е.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Чучева Г.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Широков С.С.
Научно-производственный центр оптико-электронных приборов "ОПТЭЛ", Москва, Россия
2
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Житинская М.К.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильчук Г.А.
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Кусьнэж В.В.
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Петрусь Р.Ю.
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Украинец В.О.
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Тиванов М.С.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Зарецкая Е.П.
Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Залесский В.Б.
Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Леонова Т.Р.
Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Конин А.
Институт физики полупроводников, L Вильнюс, Литва
2
Драпак С.И.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Горбань А.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Костылев В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Ковш А.Р.
NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
2
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institute for Solid State Physics, Technical University of Berlin, Berlin, Germany
2
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Капитонов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бондарев А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дерябин А.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный центр "Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН", Санкт-Петербург, Россия
2
Терентьев Я.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Поклонский Н.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Вырко С.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Айзенштат Г.И.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Лелеков М.А.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Толбанов О.П.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кузнецов О.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Белогорохов И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тихонов Е.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Бреусова М.О.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Пушкарев В.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Зотеев А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Томилова Л.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Бирюков А.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Некоркин С.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Кочаровский В.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Department of Physics and Institute for Quantum Studies, Texas A & M University, TX, USA
2
Кочаровский Вл.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шленский А.А.
Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (ГИРЕДМЕТ), Москва, Россия
2
Баранова Е.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Бордовский Г.А.
Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Марченко А.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Грабко Г.И.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Ястребов С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пожела Ю.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Пожела К.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Юцене В.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Школьник А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Горбунов Р.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Стриха М.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Гуляев Ю.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
1
Yang D.
State Key Lab of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou, P.R. China
1
Kosolobov S.S.
Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Novosibirsk, Russia
1
Жуковски П.
Люблинский технический университет, Люблин, Польша
1
Литовченко О.П.
Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Давиденко Н.А.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
1
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Tchernycheva M.
CNRS-LPN, Route de Nozay, Marcoussis, France
1
Боков П.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Кацуба П.С.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Гончаренко И.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук