Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Zamoryanskaya M.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Arguirov T.
IHP microelectronics, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder), Germany
6
Kittler M.
IHP microelectronics, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder), Germany
6
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Цырлин Г.Э.
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный комплекс Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
6
Красильник З.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Jia G.
IHP microelectronics, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder), Germany
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Seifert W.
IHP, Im Technologiepark 25,, Frankfurt (Oder), Germany
4
Kolesnikova E.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
4
Кочаровский В.В.
Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Дубровский В.Г.
Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук", Санкт-Петербург, Россия
4
Хохлов Д.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дроздов Ю.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Yakimov E.B.
Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
4
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
4
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гергель В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Рoссийской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Борщев К.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Налет Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Рoссийской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Талалаев В.Г.
Институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет, Петродворец, Россия
3
Sitnikova A.A.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Гременок В.Ф.
Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3
Хомылев М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Свечникова Т.Е.
Институт металлургии им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Абросимов Н.В.
Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
3
Аргунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Редькин А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Якимов Е.Е.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Barthou C.
Universite P. et M. Curie, Case 80, 4 Place Jussieu, Paris Cedex 05, France
3
© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук