Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности проводимости сильно легированного акцепторной примесью In интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина 
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
Поступила в редакцию: 22 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.
Исследованы температурные и концентрационные зависимости удельного сопротивления и коэффициента термоэдс сильно легированного и сильно компенсированного полупроводникового твердого раствора ZrNiSn1-xInx в диапазоне температур T=80-380 K и диапазоне концентраций x=0.005-0.15. Высказано предположение, что полупроводник ZrNiSn, сильно легированный акцепторной примесью In, является аморфным полупроводником. Экспериментально установлена пропорциональная зависимость между параметрами флуктуации зон непрерывных энергий, глубиной флуктуации и глубиной потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации. Впервые экспериментально подтвержден вывод Б.И. Шкловского и А.Л. Эфроса [ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)] о том, что в сильно легированном и полностью компенсированном полупроводнике максимальная амплитуда флуктуации зон непрерывных энергий равна половине ширины запрещенной зоны полупроводника, а уровень Ферми располагается посредине запрещенной зоны. PACS. 71.20.Nr, 72.20.Pa
- В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, М.Г. Шеляпина, Д. Фрушарт, В.Ф. Чекурин, Л.П. Ромака, Ю.К. Гореленко. ФТП, 40 (2), 136 (2006)
- Yu.V. Stadnyk, V.A. Romaka, Yu.K. Gorelenko, L.P. Romaka, D. Fruchart, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 400, 29 (2005)
- В.А. Ромака, М.Г. Шеляпина, Ю.К. Гореленко, Д. Фрушарт, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин. ФТП, 40 (6), 676 (2006)
- D. Fruchart, V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, Yu.K. Gorelenko, M.G. Shelyapina, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 438, 8 (2007)
- V.A. Romaka, M.G. Shelyapina, D. Fruchart, Yu.K. Gorelenko, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, V.F. Chekurin, A.M. Goryn. Ukr. J. Phys., 52 (1), 39 (2007)
- В.А. Ромака, М.Г. Шеляпина, Ю.В. Стаднык, D. Fruchart, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин. ФТП, 40 (7), 796 (2006)
- L.P. Romaka, M.G. Shelyapina, Yu.V. Stadnyk, D. Fruchart, V.A. Romaka. J. Alloys Comp., 416, 46 (2006)
- Yu.V. Stadnyk, V.A. Romaka, M.G. Shelyapina, D. Fruchart, Yu.K. Gorelenko, L.P. Romaka, A.V. Tkachuk, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 421, 19 (2006)
- V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, D. Fruchart, J. Tobola, Yu.K. Gorelenko, L.P.. Romaka, V.F. Chekurin, А.М. Goryn. Ukr. J. Phys., 52 (5), 453 (2007)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972).
- Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis, Electron processes in non-crystalline materials (Oxford, Clarendon Press, 1979)]
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. 12th European Crystallographic Meeting. Collected Abstract (M., Nauka, 1989) p. 155.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
