"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Обратная диффузия примеси по механизму вытеснения в процессе геттерирования
Александров О.В.1, Криворучко А.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Методом численного решения системы диффузионно-кинетических уравнений выполнен анализ обратной диффузии примеси по механизму вытеснения (kick-out) в процессе геттерирования. На примере примеси Au в кремнии изучено влияние степени геттерирования и плотности дислокаций на концентрационные профили примеси и собственных межузельных атомов. Показано, что обычно используемые приближения, основанные на решении уравнения диффузии для узельной примеси с эффективными коэффициентами диффузии, могут приводить к недооценке времени геттерирования. В отсутствие дислокаций это вызвано изменением выражения для эффективного коэффициента диффузии в случае геттерирования, а также с нарушением условия локального равновесия на фронте геттерирования. При высокой плотности дислокаций процесс понижения уровня концентрации примеси обусловлен кинетикой генерации собственных межузельных атомов на дислокациях, а не диффузией примеси. PACS: 61.72.Yx, 66.30.-h, 68.35.Fx, 81.65.Tx
  1. В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниках (Н. Новгород, 2002)
  2. A.A. Istratov, H. Hieslmair, E.R. Weber. Appl. Phys. A, 70, 489 (2000)
  3. J.S. Kang, D.K. Schroder. J. Appl. Phys., 65, 2974 (1989)
  4. Г.З. Немцев, А.И. Пекарев, Ю.Д. Чистяков, А.Н. Бурмистров. Зарубеж. электрон. техн., N 11 (245), 3 (1981)
  5. U. Gosele, W. Frank, A. Seeger. Appl. Phys., 23 (1), 361 (1980)
  6. F.C. Frank, D. Turnbull. Phys. Rev., 104 (3), 617 (1956)
  7. W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. In: Diffusion in crystalline solids, ed. by G.E. Murch, A.S. Nowick et al. (Academic Press, 1984) p. 63
  8. N.A. Stolwijk, J. Holzl, W. Frank, E.R. Weber, H. Mehrer. Appl. Phys. A, 39 (1), 37 (1986)
  9. H. Zimmermann, H. Ryssel. Appl. Phys. A, 55 (2), 121 (1992)
  10. H. Bracht, N.A. Stolwijk, H. Mehrer. Phys. Rev., 52 (23), 16 542 (1995)
  11. H. Kitagawa, H. Hashimoto, M. Yushida. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (2), 276 (1982)
  12. H. Kitagawa, K. Hashimoto, M. Yoshida. Jpn. J. Appl. Phys. 21 (3), 446 (1982)
  13. N.A. Stolwijk, B. Schuster, J. Holzl. Appl. Phys. A, 33 (2), 133 (1984)
  14. A. Seeger. Phys. Status Solidi A, 61 (2), 521 (1980)
  15. G.B. Bronner, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 61 (10), 5286 (1987)
  16. C.S. Chen, D.K. Schroder. J. Appl. Phys., 71 (12), 5858 (1992)
  17. M. Takahashi, M. Morooka, M. Yoshida. Jpn. J. App. Phys., 31 (4), 1134 (1992)
  18. S. Coffa, G. Franco, C.M. Camalleri, A. Giraffa. J. Appl. Phys., 80 (1), 161 (1996)
  19. А.А. Самарский. Теория разностных схем (М., Наука, 1977)
  20. Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.