Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование изотипных фоточувствительных гетероструктур (собственный окисел)-n-InSe, полученных длительным термическим окислением

Ковалюк З.Д.¹, Сидор О.Н.¹, Катеринчук В.Н.¹, Нетяга В.В.¹

¹Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 15 января 2007 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Длительное (на протяжении 24-120 ч) окисление кристаллов n-InSe на воздухе приводит к образованию потенциального барьера, а изменение режимов термического окисления влияет на электрические и фотоэлектрические параметры полученных структур. Поведение вольт-амперных характеристик гетероструктур (собственный окисел)-n-InSe обусловлено суперпозицией диффузионного и шунтирующих токов. Изменения в спектрах фоточувствительности связаны с образованием таких фаз окислов, как In₂O₃ и In₂(SeO₄)₃. Установлено, что гетероструктура (собственный окисел)-n-InSe является структурой типа полупроводник-диэлектрик-полупроводник. PACS: 72.10.Jv, 72.40.+w, 73.40.Ty, 81.65.Mq, 85.60.Dw

З.Д. Ковалюк, О.Н. Сидор. Альтернативная энергетика и экология, 10, 23 (2006)
В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. Письма ЖТФ, 18, 70 (1992).
В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, А.В. Заслонкин. Письма ЖТФ, 25, 34 (1999)
В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк. ФТП, 38, 417 (2004)
V.P. Savchyn, V.B. Kytsay. Thin Sol. Films, 361--362, 123 (2000)
В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор. Тезиси II Укр. науковоi конф. з фiзики напiвпровiдникiв (Чернiвцi, 2004) с. 102
Г.А. Ильчук, В.В. Кусьнэж, Р.Ю. Петрусь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, И.Е. Теруков, В.О. Украинец. ФТП, 40, 1356 (2006)
В.А. Манассон, А.И. Малик, В.Б. Баранюк. Письма ЖТФ, 7, 549 (1981)
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975)
Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
B. Gurbulak, M. Yildirim, A. Atec s, S. Dogan, Y.K. Yogurtc cu. Jap. J. Appl. Phys., 38, 5133 (1999)
O.A. Balitskii, R.V. Lutsiv, V.P. Savchyn, J.M. Stakhira. Mater. Sci. Eng. B, 56, 5 (1998)
O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, V.O Yukhymchuk. Semicond. Sci. Technol., 17, L1 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель