"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN1
Авакянц Л.П.1, Бадгутдинов М.Л.1, Боков П.Ю.1, Червяков А.В.1, Широков С.С.1, Юнович А.Э.1, Богданов А.А.2, Васильева Е.Д.2, Николаев Д.А.2, Феопентов А.В.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Методом спектроскопии электроотражения исследованы p-n-гетероструктуры InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами InGaN/AlGaN. Структуры были выращены методом металлорганической эпитаксии и смонтированы p-областью к теплоотводу. Свет падал и отражался от структур через сапфировую подложку. Для модуляции коэффициента отражения к p-n-переходу прикладывалось напряжение в виде прямоугольных импульсов с постоянным смещением в обратном направлении. В спектрах электроотражения обнаружена линия, соответствующая межзонным переходам в области множественных квантовых ям InGaN/GaN, максимум которой смещен в коротковолновую область по отношению к максимуму полосы инжекционной люминесценции светодиодных структур. Для описания спектра электроотражения использовалась низкополевая модель Аспнеса. Из подгонки параметров модели определена эффективная ширина запрещенной зоны в активной области структуры E*g=2.76-2.78 эВ. Наблюдаемая зависимость E*g от приложенного напряжения объясняется влиянием пьезоэлектрических полей в квантовых ямах InGaN. В спектрах электроотражения обнаружена интерференция в широкой спектральной области от 1.4 до 3.2 эВ, обусловленная зависимостью эффективного показателя преломления от электрического поля. PACS: 78.40.Fy, 78.60.Fi, 78.67.De
  1. F.H. Pollak. SPIE Proc., 3944, 408 (2000)
  2. Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский, В.Г. Мокеров, Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков, В.А. Кульбачинский. ФТП, 37 (1), 77 (2003)
  3. Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков. ЖТФ, 75 (10), 66 (2005)
  4. C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki. J. Appl. Phys., 85 (7), 3786 (1999)
  5. M. Motyka, R. Kudrawiec, G. Cywinski, M. Siekacz, C. Skierbiszewski, J. Misiewicz. Abstracts XXXV Int. School on Phys. Semicond. Compounds "Jaszowiec 2006" (Warsaw, 2006) p. 65
  6. M. Syperek, M. Motyka, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, M. Rudzinski, P.R. Hageman, P.K. Larsen. Abstracts XXXV Int. School on Phys. Semicond. Compounds "Jaszowiec 2006" (Warsaw, 2006) p. 66
  7. A. Drabinska, K. Pakula, J.M. Baranowski, I. Frymark. Phys. Status Solidi A, 202 (7), 1308 (2005)
  8. Y.C. Shen, J.J. Wierer, M.R. Krames, M.J. Ludowise, M.S. Misra, F. Ahmed, A.V. Kim, G.O. Mueller, J.C. Bhat, S.A. Stockman, P.S. Martin. Appl. Phys. Lett., 82, 2221 (2003)
  9. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон ФТП, 39 (7), 885 (2005)
  10. М.Л. Бадгутдинов, С.С. Широков, А.Э. Юнович, М.Г. Агапов, Д.В. Давыдов, Д.А. Лавpинович, Ф.М. Снегов. Тез. докл. 5-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и аллюминия: структуры и приборы" (Москва, 2007) с. 89
  11. М.Л. Бадгутдинов, Н.А. Гальчина, Е.В. Коробов, Л.М. Коган, Ф.А. Лукьянов, И.Т. Рассохин, Н.П. Сощин, А.Э. Юнович. ФТП, 40 (6), 758 (2006)
  12. D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
  13. R. Kudrawiec, P. Sitarek, J. Misiewicz, S.R. Bank, H.B. Yuen, M.A. Wistey, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 86, 091 115 (2005)
  14. S. Ghosh, B.M. Arora. J. Appl. Phys., 81 (10), 6968 (1997)
  15. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970)
  16. Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001)
  17. F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B, 57 (16), R9427 (1998)
  18. S.F. Chichibu, A.C. Abare, M.P. Mack, M.S. Minsky, T. Deguchi, D. Cohen, P. Kozodoy, S.B. Fleischer, S. Keller, J.S. Speck, J.E. Bowers, E. Hu, U.K. Mishra, L.A. Coldren, S.P. DenBaars, K. Wada, T. Sota, S. Nakamura. Mater. Sci. Engin. B, 59, 298 (1999)
  19. A. Hangleiter, J.S. Im, H. Kollmer, O. Gfrorer, J. Off, F. Scholz. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S11 , G6.20 (1999)
  20. С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 37 (9), 1131 (2003)
  21. V.F. Mymrin, K.A. Bulashevich, N.I. Podolskaya, I.A. Zhmakin, S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov. Phys. Status Solidi C, 2 (7), 2928 (2005)
  22. И.Ю. Евстратов, В.Ф. Мымрин, С.Ю. Карпов. Тез. докл. 4-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., 2005) с. 122

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.