Методом спектроскопии электроотражения исследованы p-n-гетероструктуры InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами InGaN/AlGaN. Структуры были выращены методом металлорганической эпитаксии и смонтированы p-областью к теплоотводу. Свет падал и отражался от структур через сапфировую подложку. Для модуляции коэффициента отражения к p-n-переходу прикладывалось напряжение в виде прямоугольных импульсов с постоянным смещением в обратном направлении. В спектрах электроотражения обнаружена линия, соответствующая межзонным переходам в области множественных квантовых ям InGaN/GaN, максимум которой смещен в коротковолновую область по отношению к максимуму полосы инжекционной люминесценции светодиодных структур. Для описания спектра электроотражения использовалась низкополевая модель Аспнеса. Из подгонки параметров модели определена эффективная ширина запрещенной зоны в активной области структуры E^*_g=2.76-2.78 эВ. Наблюдаемая зависимость E^*_g от приложенного напряжения объясняется влиянием пьезоэлектрических полей в квантовых ямах InGaN. В спектрах электроотражения обнаружена интерференция в широкой спектральной области от 1.4 до 3.2 эВ, обусловленная зависимостью эффективного показателя преломления от электрического поля. PACS: 78.40.Fy, 78.60.Fi, 78.67.De

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.