"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование, кристаллическая структура и свойства кремния со встроенными нанокристаллитами дисилицида железа на подложках Si (100)
Галкин Н.Г.1, Горошко Д.Л.1, Полярный В.О.1, Чусовитин Е.А.1, Гутаковский А.К.2, Латышев А.В.2, Khang Y.3
1Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Samsung Advanced Institute of Technology, Materials Laboratory, San 14-1, Nongseo-Ri, Kihung-Eup, Yongin, Kyungki-Do 449-712, Korea
Поступила в редакцию: 9 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Методами дифракции медленных электронов, измерений эффекта Холла in situ, атомной силовой микроскопией и просвечивающей электронной микроскопией с высоким разрешением изучены формирование островков силицидов железа на поверхности Si (100)-(2x 1) и заращивание их кремнием; исследованы электрические свойства и структура кремния со встроенными нанокристаллитами силицидов железа. Наилучшее кристаллическое качество сплошного монокристаллического кремниевого слоя и минимальная шероховатость его поверхности наблюдались при температуре роста кремния 700oC и толщине 100 нм. Предложена модель роста кремния поверх нанокристаллов силицидов железа. Обнаружены два типа формирующихся нанокристаллитов: малые (5-6 нм) beta-FeSi2 и большие (30-50 нм) gamma-FeSi2. Хорошее согласие электрических параметров кремния со встроенными нанокристаллитами дисилицидов железа и атомарно-чистого кремния подтвердило минимальное рассеяние носителей на нанокристаллитах в температурном диапазоне 300-540 K. PACS: 73.63.Bd, 81.05.Hd, 81.10.Jt, 81.15.Hi
  1. K. Radermacher, R. Carius, S. Mantl. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 84, 163 (1994)
  2. N.E. Christensen. Phys. Rev. B, 42, 7148 (1990)
  3. A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, W. Henrion, M. Rebien, P. Stauss, H. Lange, G. Behr. J. Appl. Phys., 83, 4410 (1998)
  4. K.J. Reeson, J.S.M. Harry, D. Leong, C. McKinty, A. Kewell, M. Lourenco, Y.L. Chen, G. Shao, K.P. Homewood. Microelectron. Eng., 50, 223 (2000)
  5. B. Shuller, R. Carius, S. Lenk, S. Mantl. Microelectron. Eng., 60, 205 (2000)
  6. T. Suemasu, T. Fujii, K. Takakura, F. Hasegawa. Thin Sol. Films, 381, 209 (2001)
  7. T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura, F. Hasegawa. Jap. J. Appl. Phys., pt 2, 39, L1013 (2000)
  8. T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura, F. Hasegawa. Appl. Phys. Lett., 79, 1801 (2001)
  9. L. Wang, C. Lin, Q. Shen, X. Lin, R. Ni, S. Zou. Appl. Phys. Lett., 66, 3453 (1995)
  10. N. Minami, D. Makino, T. Matsumara, C. Egawa, T. Sato, K. Ota, S. Ino. Surf. Sci., 514, 211 (2002)
  11. N.G. Galkin, V.O. Polyarnyi, A.S. Gouralnik. Thin Sol. Films, 464--465, 199 ( 2004)
  12. F. Shoji, H. Shimoji, Y. Makihara, M. Naitoh. Thin Sol. Films, 461, 116 (2004)
  13. W. Raunau, H. Niehus, G. Comsa. Surf. Sci. Lett., 284, L375 (1993)
  14. J. Chrost, J.J. Hinarejos, P. Segovia, E.G. Michel, R. Miranda. Surf. Sci., 371, 297 (1997)
  15. Н.Г. Галкин, В.А. Иванов, А.В. Конченко, Д.Л. Горошко. ПТЭ, N 2, 153 (1999) [N.G. Galkin, V.A. Ivanov, A.V. Konchenko, D.L. Goroshko. Instruments and Experimental Techniques, 42, 284 (1999)]
  16. N.G. Galkin, D.L. Goroshko. Phys. Low-Dim. Structur., 9/10, 67 (2001)
  17. R.A. Smith. Semiconductors (Cambridge University, Cambridge, 1978)
  18. M. Tanaka, Y. Kumagai, T. Suemasu, F. Hasegawa. Appl. Surf. Sci., 117/118, 303 (1997)
  19. H. von Kanel, K.A. Mader, E. Muller, N. Onda, H. Sirringhaus. Phys. Rev. B, 45, 13 807 (1992)
  20. Semiconducting silicides, ed. by V.E. Borisenko (Springer-Verlag, Berlin, 2000)
  21. T. Takada, H. Katsumata, Y. Makita, N. Kobayashi, M. Hasegawa, S. Uekusa. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 478, 267 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.