"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рассеяние электронов на захваченных поверхностных полярных оптических фононах в двухбарьерной гетероструктуре
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 6 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Показано, что в двухбарьерной гетероструктуре наряду с захватом объемных полярных оптических фононов имеет место захват поверхностных (интерфейсных) фононов. Сила взаимодействия электронов с захваченными интерфейсными фононами снижается с уменьшением толщины фононной ямы --- полупроводникового слоя, в котором захвачены фононы. Предложен новый подход для снижения рассеяния электронов полярными оптическими фононами в двухбарьерной квантовой яме, основанный на раздельном захвате фононов в узкие фононные ямы. Вычисленная скорость рассеяния с учетом захвата интерфейсных фононов в квантовых ямах GaAs/InAs/GaAs и AlAs/GaAs/AlAs оказывается много ниже, чем полученная в приближении рассеяния захваченных электронов на объемных фононах. Получено многократное снижение скорости электрон-фононного рассеяния в квантовой яме AlAs/GaAs/AlAs путем разделения ее мономолекулярным слоем InAs, прозрачным для электронов, но являющимся отражающим барьером для полярных оптических фононов. PACS: 72.10.Di, 73.21.Fg, 73.40.Kp
  1. Ю. Пожела, В. Юцене. ФТП, 29, 459 (1995)
  2. J. Povzela, V. Juciene, K. Povzela. Semicond. Sci. Technol., 10, 1555 (1995)
  3. J. Povzela, V. Juciene, A. Namaj unas, K. Povzela. Lithuan. J. Phys., 37, 433 (1997)
  4. N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
  5. I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
  6. C.R. Bennett, M.A. Amato, N.A. Zakhleniuk, B.K. Ridley, M. Babiker. J. Appl. Phys., 45, 1499 (1998)
  7. J. Povzela, A. Namaj unas, K. Povzela, V. Juciene. Physica E, 5, 108 (1999)
  8. Ю.К. Пожела, В.Г. Мокеров. ФТП, 40, 362 (2006)
  9. L.F. Register. Phys. Rev. B, 45, 8756 (1992)
  10. H. Rucker, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
  11. B.K. Ridley, M. Babiker, N.A. Zakhleniuk, C.R. Bennett. In: Proc. 23rd Int. Conf. "The Physics of Semiconductors" (Berlin, 1996) (Singapore, World Scientific, 1996) p. 1807
  12. Dong Xu, H.G. Heib, S.A. Kraus, M. Sexl, G. Bohm, G. Trankle, G. Weimann. IEEE Trans. Electron. Dev., 45, 21 (1998)
  13. D. Xu, J. Osaka, Y. Umeda, T. Suemitsu, Y. Yamane, Y. Ishii. IEEE Electron. Dev. Lett., 20, 109 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.