Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Инжекционные лазеры с широким спектром генерации на основе самоорганизующихся квантовых точек

Жуков А.Е.¹, Ковш А.Р.², Никитина Е.В.¹, Устинов В.М.¹, Алфёров Ж.И.¹

¹Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
²NL Nanosemiconductor GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11, Dortmund, Germany

Поступила в редакцию: 13 сентября 2006 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

PDF версия

В инжекционных лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек диапазона длин волн около 1.3 мкм, излучающих в непрерывном режиме, показана возможность одновременного достижения ширины спектра лазерной генерации более 15 нм и средней спектральной плотности мощности более 10 мВт/нм. PACS: 42.55.Px

M. Sugawara, K. Mukai, Y. Nakata. Appl. Phys. Lett., 74, 1561 (1999)
M. Grundmann, F. Heinrichsdorf, N.N. Ledentsov, C. Ribbat, D. Bimberg, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Jap. J. Appl. Phys., 39, 2341 (2000)
С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, Ю.М. Шерняков, И.Н. Каяндер, Е.Ю. Кондратьева, Д.А. Лившиц, И.С. Тарасов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Б. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34, 117 (2000)
Д.А. Лившиц, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, Н.А. Малеев, С.С. Михрин, А.П. Васильев, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, G. Lin, J. Chi. Письма ЖТФ, 30, 21 (2004)
H. Benisty, C.M. Sotomayor-Torres, C. Weisbuch. Phys. Rev. B, 44, 10 945 (1991)
L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 39, 404 (2003)
K. Mukai, N. Ohtsuka, H. Shoji, M. Sugawara. Appl. Phys. Lett., 68 (21), 3013 (1996)
A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 18, 774 (2003)
A. Markus, J.X. Chen, C. Paranthoen, A. Fiore. Appl. Phys. Lett., 82, 1818 (2003)
A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, E.Yu. Kondrat'eva, D.A. Livshits, M.V. Maximov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. IEEE Phot. Techn. Lett., 11, 1345 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель