Путем измерения циркулярно-поляризованной фотолюминесценции обнаружена высокая степень ориентации спинов электронов в n-области диодной структуры на основе InAs, помещенной в магнитное поле в геометрии Фарадея. Поляризация излучения достигает 90% в поле 2 Тл. В противоположность этому степень поляризации в обычных, без p-n-перехода, слоях InAs не превышает 20% в диапазоне полей до 4 Тл. Эффект связывается с наличием встроенного электрического поля p-n-перехода, которое препятствует локализации неравновесных электронов на мелких донорных центрах и тем самым позволяет ориентировать спины электронов за счет зеемановского расщепления в зоне проводимости. PACS: 71.70.Ej, 72.25.Mk, 73.40.Kp, 78.55.Cr

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.