"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сильная спиновая поляризация электронов в диодной структуре на основе InAs
Терентьев Я.В.1, Люблинская О.Г.1, Усикова А.А.1, Торопов А.А.1, Соловьев В.А.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Путем измерения циркулярно-поляризованной фотолюминесценции обнаружена высокая степень ориентации спинов электронов в n-области диодной структуры на основе InAs, помещенной в магнитное поле в геометрии Фарадея. Поляризация излучения достигает 90% в поле 2 Тл. В противоположность этому степень поляризации в обычных, без p-n-перехода, слоях InAs не превышает 20% в диапазоне полей до 4 Тл. Эффект связывается с наличием встроенного электрического поля p-n-перехода, которое препятствует локализации неравновесных электронов на мелких донорных центрах и тем самым позволяет ориентировать спины электронов за счет зеемановского расщепления в зоне проводимости. PACS: 71.70.Ej, 72.25.Mk, 73.40.Kp, 78.55.Cr
  1. J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 64, R29 (1988)
  2. A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. Lett., 95, 017 201 (2005)
  3. Y. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, M.L.W. Thewalt. J. Appl. Phys., 80, 6416 (1996)
  4. Y. Yafet, R.W. Keyes, E.N. Adams. J. Phys. Chem. Sol., 1, 137 (1956)
  5. Ya.V. Terent'ev, O.G. Lyublinskaya, A.A. Toropov, V.A. Solov'ev, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov. Inst. Phys. Conf. Ser., N 187, 57 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.