Вышедшие номера
Катодолюминесценция слабых растворов GaNxAs1-x (x=< 0.03)
Брунков П.Н.1, Гуткин А.А.1, Заморянская М.В.1, Хрусталев В.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

В интервале энергий фотонов от края собственной полосы поглощения до 3 эВ при комнатной температуре измерена катодолюминесценция слоев GaNxAs1-x (0=< x=<0.03). В видимой области спектров катодолюминесценции обнаружена дополнительная полоса излучения, интенсивность которой более чем на 2 порядка ниже интенсивности краевого излучения. Энергия фотонов, отвечающая максимуму этой полосы, и ее полуширина практически не зависят от x и составляют соответственно ~2.1 и 0.6-0.7 эВ. Это излучение связывается с непрямыми оптическими переходами электронов из L6c- и Delta-минимумов зоны проводимости в Gamma15-максимум валентной зоны. PACS: 78.60.Hk, 78.66.Fd