"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект поля и электрическая емкость кристаллов кремния при прыжковой проводимости по точечным радиационным дефектам, "локализующим" уровень Ферми
Поклонский Н.А.1, Вырко С.А.1, Забродский А.Г.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Проведен расчет статического эффекта поля и электрической емкости кристаллов кремния при прыжковой проводимости по дефектам в зарядовых состояниях (+1),(0) и (-1), "локализующим" уровень Ферми. В запрещенной зоне кремния дефекты в зарядовых состояниях (0) и (+1) формируют v'-зону, а в зарядовых состояниях (-1) и (0) формируют c'-зону. Ширина энергетических c'- и v'-зон рассчитывается в предположении кулоновского взаимодействия каждого заряженного дефекта только с ближайшим по расстоянию ионом. Величина энергетической щели между c'- и v'-зонами дефектов полагается постоянной. Предсказывается немонотонность зависимости емкости и поверхностной прыжковой проводимости от электрического потенциала на поверхности сильнодефектных кристаллов кремния. PACS: 72.10.Fk, 72.20.Ee, 72.80.Cw
  1. В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35 (7), 769 (2001)
  2. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  3. Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)
  4. P.F. Lugakov, T.A. Lukashevich, V.V. Shusha. Phys. Status Solidi A, 74 (2), 445 (1982)
  5. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B, 348 (1-4), 213 (2004)
  6. M. McPherson. Physica B, 344 (1-4), 52 (2004)
  7. P.W. Zukowski, S.B. Kantorow, K. Kiszczak, D. M aczka, A. Rodzik, V.F. Stelmakh, E. Czarnecka-Such. Phys. Status Solidi A, 128 (2), K117 (1991)
  8. N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. Status Solidi B, 88 (2), K165 (1978)
  9. Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин. ФТТ, 40 (10), 1805 (1998)
  10. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  11. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, С.Л. Поденок. Статистическая физика полупроводников (М., КомКнига, 2005)
  12. Н.В. Кузнецов, Г.Г. Соловьев. Радиационная стойкость кремния (М., Энергоатомиздат, 1989)
  13. Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски. ФТП, 33 (4), 415 (1999)
  14. Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин, А.Г. Забродский. ФТТ, 42 (3), 432 (2000)
  15. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТП, 41 (1), 31 (2007)
  16. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТП, 40 (4), 400 (2006)
  17. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, 1984)
  18. А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ФТП, 37 (6), 686 (2003)
  19. J. Krupski. Phys. Status Solidi B, 157 (1), 199 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.