"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства кристаллов CuIn3Se5 и структур In/CuIn3Se5
Боднарь И.В.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Методом направленной кристаллизации при отклонении состава расплава от стехиометрического выращены монокристаллы p-CuIn3Se5. Исследованы электрические свойства гомогенных кристаллов, и обнаружены зависимости удельного сопротивления p-CuIn3Se5 от избыточного содержания селена в расплаве. Установлено увеличение вольтовой фоточувствительности структур In/CuIn3Se5 с возрастанием избытка селена в расплаве. Обсуждаются энергетический спектр и характер межзонных переходов в кристаллах CuIn3Se5. Сделан вывод о возможности использования тройного соединения CuIn3Se5 в высокоэффективных фотопреобразователях солнечного излучения. PACS: 72.20.Fr, 73.30+y, 73.40.Ns, 73.50.Pz
  1. Н.А.Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., ЛГУ, 1963)
  2. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  3. А. Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов (М., Сов. радио, 1970)
  4. И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 520 (2002)
  5. И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ФТП, 36, 1211 (2002)
  6. И.В. Боднарь, Е.С. Дмитриева, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 75, 84 (2005)
  7. J.S. Blakemore. Semiconductor Statistic (N. Y., Pergamon Press, 1962)
  8. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  9. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., Willey Interscience Publ., 1981).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.