"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Измерение высоты барьера на границе металл-полуизолирующий арсенид галлия
Айзенштат Г.И.1, Лелеков М.А.1, Толбанов О.П.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Проведен анализ вольт-амперных характеристик структур из полуизолирующего арсенида галлия с различными контактами. Высота барьера Шоттки измерялась с использованием двух методик; полученные значения для контактов на основе ванадия составили 0.81±0.02 В. PACS: 42.79.Pw, 81.05.Ea, 85.25.Oj, 85.30.De, 87.66.Pm
  1. R. Irsigler, R. Geppert, R. Goppert, J. Ludwig, M. Rogalla, K. Runge, Th. Shmidt, M. Weber. Nucl. Instrum. Meth. Phys. A 395, 71 (1997)
  2. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  3. Г.И. Айзенштат, М.А. Лелеков, В.А. Новиков, Л.С. Окаевич, О.П. Толбанов. ФТП, 41 (5), 631 (2007)
  4. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 292

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.