Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Измерение высоты барьера на границе металл-полуизолирующий арсенид галлия
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 5 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.
Проведен анализ вольт-амперных характеристик структур из полуизолирующего арсенида галлия с различными контактами. Высота барьера Шоттки измерялась с использованием двух методик; полученные значения для контактов на основе ванадия составили 0.81±0.02 В. PACS: 42.79.Pw, 81.05.Ea, 85.25.Oj, 85.30.De, 87.66.Pm
- R. Irsigler, R. Geppert, R. Goppert, J. Ludwig, M. Rogalla, K. Runge, Th. Shmidt, M. Weber. Nucl. Instrum. Meth. Phys. A 395, 71 (1997)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- Г.И. Айзенштат, М.А. Лелеков, В.А. Новиков, Л.С. Окаевич, О.П. Толбанов. ФТП, 41 (5), 631 (2007)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 292
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
