Вышедшие номера
Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p++/n+/n-Si : Er/n++
Кузнецов В.П.1, Ремизов Д.Ю.2, Шмагин В.Б.2, Кудрявцев К.Е.2, Шабанов В.Н.1, Оболенский С.В.3, Белова О.В.1, Кузнецов М.В.1, Корнаухов А.В.1, Андреев Б.А.2, Красильник З.Ф.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Обсуждаются результаты экспериментов по исследованию электролюминесценции ионов эрбия в кремниевых диодных структурах типа p++/n+/n-Si : Er/n++, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Отличительной особенностью структур является то, что области формирования потока электронов (n+-Si) и ударного возбуждения ионов эрбия (n-Si : Er) пространственно разнесены. Исследовано влияние толщины слоя n+-Si на электрические и электролюминесцентные свойства диодов. Показано, что уменьшение толщины слоя n+-Si вызывает трансформацию механизма пробоя структуры в направлении туннельный -> лавинный. Зависимость интенсивности электролюминесценции ионов Er3+ от толщины высоколегированной области n+-Si носит колоколообразный характер. При уровне легирования слоя n+-Si n~ 2·1018 см-3 максимальная интенсивность электролюминесценции достигается при толщине слоя n+-Si ~23 нм. PACS: 78.60.Fi, 85.30.Mn, 85.60.Jb