"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p++/n+/n-Si : Er/n++
Кузнецов В.П.1, Ремизов Д.Ю.2, Шмагин В.Б.2, Кудрявцев К.Е.2, Шабанов В.Н.1, Оболенский С.В.3, Белова О.В.1, Кузнецов М.В.1, Корнаухов А.В.1, Андреев Б.А.2, Красильник З.Ф.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Обсуждаются результаты экспериментов по исследованию электролюминесценции ионов эрбия в кремниевых диодных структурах типа p++/n+/n-Si : Er/n++, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Отличительной особенностью структур является то, что области формирования потока электронов (n+-Si) и ударного возбуждения ионов эрбия (n-Si : Er) пространственно разнесены. Исследовано влияние толщины слоя n+-Si на электрические и электролюминесцентные свойства диодов. Показано, что уменьшение толщины слоя n+-Si вызывает трансформацию механизма пробоя структуры в направлении туннельный -> лавинный. Зависимость интенсивности электролюминесценции ионов Er3+ от толщины высоколегированной области n+-Si носит колоколообразный характер. При уровне легирования слоя n+-Si n~ 2·1018 см-3 максимальная интенсивность электролюминесценции достигается при толщине слоя n+-Si ~23 нм. PACS: 78.60.Fi, 85.30.Mn, 85.60.Jb
  1. G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
  2. B. Zheng, J. Michel, F.Y.G. Ren, L.C. Kimerling. D.C. Jacobson, J.M. Poate. Appl. Phys. Lett., 64, 2842 (1994)
  3. N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh, P.E. Khakuashev, M.A. Trishenkov. J. Luminecs., 80, 315 (1999)
  4. Д.Ю. Ремизов. В.Б. Шмагин, А.В. Антонов, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТТ, 47, 95 (2005)
  5. В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, В.Н. Шабанов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов. ФТТ, 46 (1), 110 (2004)
  6. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)
  7. А.С. Тагер, В.М. Вальд-Перлов. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ (М., Сов. радио, 1986) гл. 1, с. 27
  8. В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, С.В. Оболенский, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник. ФТТ, 47, 120 (2005)
  9. V.B. Shmagin, S.V. Obolensky, D. Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 12, 1556 (2006)
  10. S.V. Obolensky, V.B. Shmagin, V.A. Kozlov, K.E. Kudryavtsev, D.Yu. Remizov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 21, 1459 (2006)
  11. Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин. Матер. X симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2006) т. 2, с. 348
  12. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.