"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
КНИ-нанотранзисторы с двумя независимо управляемыми затворами
Наумова О.В.1, Ильницкий М.А.1, Сафронов Л.Н.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

Приводятся результаты численного моделирования затворных характеристик КНИ-МОП-нанотранзисторов с двумя независимо управляемыми затворами. Рассматривался случай с заземленной и плавающей базой как без, так и с учетом поверхностной рекомбинации носителей заряда. Показано, что при заданных конструктивных параметрах (длине затвора 50-100 нм, толщине кремния 25-30 нм) путем изменения напряжения на дополнительном затворе можно варьировать пороговое напряжение транзистора в диапазоне 0.45 В, уменьшать ток транзистора в закрытом состоянии до 7 порядков, подпороговый наклон затворных характеристик --- до 60 мВ/дек. Подавление короткоканальных эффектов в таких транзисторах зависит от ряда параметров (перечисленных по степени убывания воздействия): материала затвора, времени жизни носителей заряда (плавающая или заземленная база), толщины отсеченного слоя Si, напряжения на дополнительном затворе, длины канала. PACS: 73.40.Qv, 73.50.--h, 85.30.De, 85.30.Tv
  1. Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов (М., Техносфера, 2002) гл. 1
  2. J.-T. Park, J.-P. Colinge. IEEE Trans. Electron. Dev., 49, 222 (2002)
  3. J. Kedzierski, M. Ieong, E. Nowak. In: Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI, ed. by S. Cristoloveanu (Pennington, N. Y., Electrochemical Society Proc., 2003) PV 2003-05, p. 185
  4. O. Faynot, A. Vandooren, T. Poiroux, J. Lolivier, C. Jahan, S. Barraud, T. Ernst, F. Andrieu, M. Casse, B. Giffard, S. Deleonibus. 207th ESC Meeting, 12th Int. Symp. on Silicon-on-Insulator Technology and Devices (Quebec, Canada, 2005) J2, p. 527
  5. S. Balasubramanian, L. Chang, Y.-K. Choi, D. Ha, J. Lee, P. Ranade, S. Xiong, J. Bokor, Ch. Hu, T.-J. King. In: Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI, ed. by S. Cristoloveanu (Pennington, N. Y., Electrochemical Society Proc., 2003) PV 2003-05, p. 197
  6. J.-L. Autran, D. Munteanu, M. Houssa, K. Castellani-Coulie, A. Said. Jap. J. Appl. Phys., 44, 8362 (2005)
  7. H.-K. Lim, J.G. Fossum. Trans. Electron. Dev., ED-30, 1244 (1983)
  8. Y. Omura. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon-on-Insulator Devices, ed by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nasarov (Dordrecht--Boston--London, Kluwer Academic Publishers, 2000) NATO Science Series, v. 73, p. 257
  9. S. Mudanai, G.L. Chindalore, W.-K. Shih, H. Wang, Q. Ouyang, Al.F. Tasch, C.M. Maziar, S.K. Banerjee. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 1749 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.