Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
КНИ-нанотранзисторы с двумя независимо управляемыми затворами
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 5 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.
Приводятся результаты численного моделирования затворных характеристик КНИ-МОП-нанотранзисторов с двумя независимо управляемыми затворами. Рассматривался случай с заземленной и плавающей базой как без, так и с учетом поверхностной рекомбинации носителей заряда. Показано, что при заданных конструктивных параметрах (длине затвора 50-100 нм, толщине кремния 25-30 нм) путем изменения напряжения на дополнительном затворе можно варьировать пороговое напряжение транзистора в диапазоне 0.45 В, уменьшать ток транзистора в закрытом состоянии до 7 порядков, подпороговый наклон затворных характеристик - до 60 мВ/дек. Подавление короткоканальных эффектов в таких транзисторах зависит от ряда параметров (перечисленных по степени убывания воздействия): материала затвора, времени жизни носителей заряда (плавающая или заземленная база), толщины отсеченного слоя Si, напряжения на дополнительном затворе, длины канала. PACS: 73.40.Qv, 73.50.-h, 85.30.De, 85.30.Tv
- Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов (М., Техносфера, 2002) гл. 1
- J.-T. Park, J.-P. Colinge. IEEE Trans. Electron. Dev., 49, 222 (2002)
- J. Kedzierski, M. Ieong, E. Nowak. In: Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI, ed. by S. Cristoloveanu (Pennington, N. Y., Electrochemical Society Proc., 2003) PV 2003-05, p. 185
- O. Faynot, A. Vandooren, T. Poiroux, J. Lolivier, C. Jahan, S. Barraud, T. Ernst, F. Andrieu, M. Casse, B. Giffard, S. Deleonibus. 207th ESC Meeting, 12th Int. Symp. on Silicon-on-Insulator Technology and Devices (Quebec, Canada, 2005) J2, p. 527
- S. Balasubramanian, L. Chang, Y.-K. Choi, D. Ha, J. Lee, P. Ranade, S. Xiong, J. Bokor, Ch. Hu, T.-J. King. In: Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI, ed. by S. Cristoloveanu (Pennington, N. Y., Electrochemical Society Proc., 2003) PV 2003-05, p. 197
- J.-L. Autran, D. Munteanu, M. Houssa, K. Castellani-Coulie, A. Said. Jap. J. Appl. Phys., 44, 8362 (2005)
- H.-K. Lim, J.G. Fossum. Trans. Electron. Dev., ED-30, 1244 (1983)
- Y. Omura. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon-on-Insulator Devices, ed by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nasarov (Dordrecht--Boston--London, Kluwer Academic Publishers, 2000) NATO Science Series, v. 73, p. 257
- S. Mudanai, G.L. Chindalore, W.-K. Shih, H. Wang, Q. Ouyang, Al.F. Tasch, C.M. Maziar, S.K. Banerjee. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 1749 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
