Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Возможности использования твердого раствора Cd0.8Hg0.2Te в солнечных элементах
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 30 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.
Исследованы фоточувствительные в области 0.3-1.1 мкм поверхностно-барьерные диоды на основе CdxHg1-xTe (x~ 0.8), полученные травлением (бомбардировкой) поверхности кристалла p-типа проводимости ионами аргона. С использованием измеренных спектральных кривых поглощения и отражения, а также параметров диодной структуры, найденных из электрических характеристик, рассчитаны спектры фотоэлектрической квантовой эффективности диодов. Приведены результаты расчетов фотоэлектрических параметров диодов на основе Cd0.8Hg0.2Te в сравнении с солнечными элементами на основе CdTe и Si. Для условий солнечного облучения AM1.5 найдены напряжение холостого хода и ток короткого замыкания, а также предельные значения коэффициента полезного действия. PACS: 73.30.+y, 78.66.Hf, 84.60.Jt
- L.A. Kosyachenko, V.V. Kulchynsky, V.M. Sklyarchuk. Abstacts XXXIV Int. School on the Physics of Semiconducting Compounds (Jaszowiec, Poland, June 4-10 2005) p. 61
- L.A. Kosyachenko, V.V. Kulchynsky, O.L. Maslyanchuk, S.Yu. Paranchych, V.M. Sklyarchuk. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 6, 227 (2003)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- A.E. Rakhshani. Semicond. Sci. Technol., 17, 924 (2002)
- A.E. Rakhshani. Phys. Status Solidi, 192, 179 (2002)
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
- G.L. Hahsen, J.L. Schmit, T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 53, 7099 (1982)
- P.M. Amirtharaj. Handbook of Optical Constants of Solids, ed. by D. Palik (San Diego, Academic Press, 1991) v. 2
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- H.R. Philipp, E.A. Taft. Phys. Rev., 8, 13 (1962)
- T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jap. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
- Standard Tables for Reference Solar Spectral Irradiance at Air Mass 1.5. International Organization for Standardization (ISO). www.iso.ch
- D.L. Staebler, C.R. Wronski. Appl. Phys. Lett., 31, 292 (1977)
- G. Bahir, E. Finkman. J. Vac. Sci. Technol., A7, 248 (1989)
- P. Brogowski, H. Mucha, J. Piotrowski. Phys. Status Solidi A, 114, K37 (1989)
- P. Haнdek, E. Belas, J. Franc, V. Koubele. Semicond. Sci. Technol., 8, 2069 (1993)
- E. Belas, P. Hoschl, R. Grill, J. Franc, P. Moravec, K. Lischka, H. Sitter, A. Toth. Semicond. Sci. Technol., 8, 1695 (1993)
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987)
- C. Sah, R. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
- Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, З.И. Заxарчук В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.В. Солончук, И.С. Кабанова, Е.Л. Маслянчук. ФТП, 37 (2), 238 (2003)
- L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 82, 65 (2004)
- Л.А. Косяченко, А.В. Марков, Е.Л. Маслянчук, И.М. Раренко, В.М. Склярчук. ФТП, 37 (12), 1420 (2003)
- П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
- К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
- M. Lavagna, J.P. Pique, Y. Marfaing. Sol. St. Electron., 20, 235 (1977)
- L.A. Kosyachenko, V.M. Sklyarchuk, Ye.F. Sklyarchuk, K.S. Ulyanitsky. Semicond. Sci. Technol., 14, 373 (1999)
- E. Mori, K.K. Mishra. J. Electrochem. Soc., 137, 100 (1990)
- Sun Weiguo, L.A. Kosyachenko, I.M. Rarenko. J. Vac. Sci. Technol., A15, 2202 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
