Вышедшие номера
Комбинационное рассеяние света в полупроводниковых структурах на основе молекул моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия
Белогорохов И.А.1, Тихонов Е.В.1, Бреусова М.О.1, Пушкарев В.Е.1, Зотеев А.В.1, Томилова Л.Г.1, Хохлов Д.Р.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Проведены исследования полупроводниковых структур типа бутилзамещенных моно- и трифталоцианина эрбия методом спектроскопии комбинационного рассеяния света. Показано, что при переходе от планарной структуры молекулы, содержащей один лиганд и один атом металла, к сэндвичеподобной с двумя атомами комплексообразователя между лигандами появляется последовательность линий в спектре комбинационного рассеяния, с волновыми числами в виде арифметической прогрессии, разность которой 79 см-1. Предполагается, что указанная особенность связана с увеличением количества органических молекул на один атом металла в комплексе трифталоцианина, а четыре пика при 122, 208, 279, 366 см-1 являются проявлением слабых внеплоскостных колебаний лигандов фталоцианина. PACS: 78.30.Jw