Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными слоями Si

Шалеев М.В.¹, Новиков А.В.^1,2, Яблонский А.Н.¹, Кузнецов О.А.³, Дроздов Ю.Н.^1,2, Лобанов Д.Н.¹, Красильник З.Ф.^1,2

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 29 марта 2007 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние температуры роста на фотолюминесценцию структур с островками Ge(Si), выращенными на релаксированных буферных слоях SiGe/Si(001) и заключенных между напряженными Si-слоями. Показано, что при уменьшении температуры роста в интервале 700-630^oC пик фотолюминесценции островков смещается в область меньших энергий, что обусловлено увеличением содержания Ge в островках и подавлением размытия напряженных Si-слоев. Обнаруженное смещение пика в область больших энергий при понижении температуры роста с 630 до 600^oC связывается с изменением типа островков с dome на hut, которое происходит в этом интервале температур и сопровождается резким уменьшением средней высоты островков. Большая ширина пика фотолюминесценции hut-островков по сравнению с пиком фотолюминесценции dome-островков вызвана большим разбросом hut-островков по размерам. PACS: 68.37.Ps, 71.20.Nr, 78.55.Hx, 78.67.Hc, 81.07.Ta, 81.15.Hi

C.G. Van de Walle, R.M. Martin. Phys. Rev. B, 34, 5621 (1986)
O.G. Schmidt, K. Eberl, Y. Rau. Phys. Rev. B, 62, 16 715 (2000).
M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O.A. Kuznetsov. App. Phys. Lett., 88, 011 914 (2006)
A.V. Novikov, M.V. Shaleev, A.N. Yablonskiy, O.A. Kuznetsov, Yu.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.E. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 22, S29 (2007)
N. Usami, F. Issiki, D.K. Nayak, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 67 (4), 524 (1995)
М.В. Шалеев, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, О.А. Кузнецов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник. ФТП, 47 (2), 172 (2007)
G. Capellini, M. De Seta, F. Evangelisti. Appl. Phys. Lett., 78 (3), 303 (2001)
O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl. Phys. Status Solidi B, 215, 319 (1999)
Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев. ФТП, 40 (2), 235 (2006)
Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский. ФТТ, 46 (1), 63 (2004)
M.W. Dashiell, U. Denker, C. Muller, G. Costantini, C. Manzano, K. Kern, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 80 (7), 1279 (2002)
V. Yam, Vinh Le Thanh, Y. Zheng, P. Boucaud, D. Bouchier. Phys. Rev. B, 63, 033 313 (2001)
Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, А.В. Новиков, В.А. Перевощиков, М.В. Шалеев. Микроэлектроника, 34 (4), 1 (2005)
Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, А.В. Новиков, В.А. Перевощиков, М.В. Шалеев. ФТТ, 47 (1), 44 (2005)
N. Usami, K. Leo, Y. Shiraki. J.. Appl. Phys., 85 (4), 2363 (1999)
N.V. Vostokov, I.V. Dolgov, Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasil'nik, D.N. Lobanov, L.D. Moldavskaya, A.V. Novikov, V.V. Postnikov, D.O. Filatov. J. Cryst. Growth, 209, 302 (2000)
A. Hesse, J. Stangl, V. Holy, T. Roch, G. Bauer, O.G. Schmidth, U. Denker, B. Struth. Phys. Rev. B, 66, 085 321 (2002)
M. Hammar, F.K. LeGoues, J. Tersoff, M.C. Reuter, R.M. Tromp. Surf. Sci., 349, 129 (1996)
M. Goryll, L. Vescan, H. Luth. Mater. Sci. Engin. B, 69--70, 251 (2000)
Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский. ФТП, 40 (3), 343 (2006)
C.M. Wei, T.T. Chen, Y.F. Chen, Y.N. Peng, C.H. Kuan. Appl. Phys. Lett., 90, 061 912 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель