"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пикосекундная кинетика фотоносителей в арсениде галлия с нанокластерами алюминия
Алешкин В.Я.1, Востоков Н.В.1, Гапонова Д.М.1, Данильцев В.М.1, Дубинов А.А.1, Красильник З.Ф.1, Корытин А.И.2, Курицын Д.И.1, Пряхин Д.А.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 11 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Проведено исследование кинетики фотолюминесценции и отражения GaAs, содержащего кластеры Al. Время жизни фотоносителей в GaAs с кластерами Al в исследованных образцах было равно ~15 пс. Предложена простая модель для описания кинетики фотолюминесценции и коэффициента отражения. PACS: 71.55.Eq, 78.55.Cr
  1. A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeout, D. Grischkowsky, D.T. McInturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 57, 1331 (1990)
  2. K.G. Gan, J.W. Shi, Y.H. Chen, C.K. Sun, Y.J. Chiu, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 80, 4054 (2002)
  3. Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. Изв. РАН. Сер. физ., 68, 55 (2004)
  4. Н.В. Востоков, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.И. Корытин, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. ФТП, 39, 92 (2005)
  5. R.T. Tung. Mater. Sci. Engin., R 35, 1 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.