"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10546
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
45
Распределение количества просмотров по годам:
558304
525094
509194
457064
395069
379935
350428
311052
383357
486715
481220
439646
439277
447510
430834
444343
465302
473667
414932
442096
413750
531521
541689
533257
508000
551642
555038
534664
507036
463212
362161
258552
137400
46531
2384
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
953
195
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
175
159
167
148
175
163
182
187
188
227
155
217
211
213
239
253
286
242
279
274
295
249
323
261
57

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2004 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
15
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Тонких А.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Александрова Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Ильчук Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Нифтиев Н.Н.
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Сресели О.М.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Туринов В.И.
Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
4
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Никитин С.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Алфёров Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Крюченко Ю.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Бирюлин П.В.
Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
3
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Bimberg D.
Технический университет Берлина, Берлин, Германия
3
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бесюлькин А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гладышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Осминкина Л.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Зерова В.Л.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов Э.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Хохлов Д.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Шалдин Ю.В.
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Вархульска И.
International Laboratory of Strong Magnetic Fields and Low Temperature, 53-241 Wroclaw, Poland
2
Кораблев В.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Афоненко А.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Звонков Б.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Байдусь Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Колосов С.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Плотников А.Ф.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Корбутяк Д.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Куликов В.Б.
ГУП НПП (Государственное унитарное предприятие Научно-производственное предприятие) "Пульсар", Москва, Россия
2
Гамулецкая П.Б.
ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
2
Кириллов А.В.
ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
2
Романов Л.П.
ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнов В.А.
ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
2
Байдуллаева А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мозоль П.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Тагиев О.Б.
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
2
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Кизяк И.М.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Манойлов Э.Г.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Одноблюдов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Аливов Я.И.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Егоров В.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Поляков Н.К.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Никитина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смагулова С.А.
Якутский государственный университет, Якутск, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мурель А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Syvajarvi M.
Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
2
Yakimova R.
Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Борисенко С.И.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Карачинский Л.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Якимов Е.Б.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Marti A.
Instituto de Energi a Solar, ETSIT de Madrid, Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, Spain
2
Luque A.
Instituto de Energi a Solar, ETSIT de Madrid, Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, Spain
2
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хвостикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Румянцев В.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
van Roosmalen J.A.M.
Energy research Centre of the Netherlands (ECN), ECN Solar Energy, ZG Petten, The Netherlands
2
Гридчин В.А.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Любимский В.М.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тягинов С.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шулекин А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Аронзон Б.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кудрявцев В.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Боровинская Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Перова Т.С.
Университет Дублина, Тринити Колледж, Дублин 2, Ирландия
2
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Семенова Е.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слынько В.Е.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Бахтин П.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Коробкин А.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Румянцев Д.С.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Сизов Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Асрян Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тетельбаум Д.И.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Дудкина М.М.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Теньковцев А.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмидт Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цуканов А.В.
Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
2
Журтанов Б.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Власенко Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Склярчук В.М.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко (Физический факультет), Львов, Украина
2
Марков А.В.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Раренко И.М.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Руссу Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малинин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гурин В.С.
Научно-исследовательский институт физико-химических проблем Белорусского государственного университета, Минск, Белоруссия
2
Капаев В.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Волков В.Т.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Якимов Е.Е.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Плотниченко В.Г.
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
1
Гущинская Е.В.
Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
1
Денисов И.А.
ГНЦ РФ "Гиредмет", Москва, Россия
1
Примаченко В.Е.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Рябцев Г.И.
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Семенов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Рабаданов М.Х.
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
1
Иржак Д.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Скворцов А.А.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
1
Тихов С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Sekerci M.
Firat University, Faculty of Arts and Sciences, Department of Chemistry, Elazig, Turkey
1
Илащук М.И.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
1
Шакин И.А.
Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
1
Агекян В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Форш П.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Ромашкова К.А.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
El Hdiy A.
LASSI/DTI, CNRS-UMR, UFR Sciences BP,, Reims cedex 2, France
1
Абдуллаев А.А.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
1
Степуренко А.А.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
1
Захаров Н.Д.
Max-Plank Institut fur Mikrostructurphysik, Halle, Deutschland
1
Buxton B.F.
Computer Science Department, U.C.L., London, WC1E 6BT, U.K
1
Оптасюк С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Бородовский П.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дапкус Л.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
1
Ульянов В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Саидов А.С.
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Макара В.А.
Киевский национальный университет им. Т. Шевченко (Физический факультет), Киев, Украина
1
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Боков П.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Зибик Е.А.
Institute of Physics, University of Bayreuth, Germany
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
87
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
20
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
14
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
9
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
7
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
5
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
5
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
5
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
5
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
5
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
4
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
3
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
3
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
3
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
2
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2
ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина
2
Якутский государственный университет, Якутск, Россия
2
Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Научно-исследовательский институт физико-химических проблем Белорусского государственного университета, Минск, Белоруссия
2
Университет Дублина, Тринити Колледж, Дублин 2, Ирландия
2
Department of Electrical and Computer Engineering, State University of New York, Stony Brook, NY, USA
1
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
1
Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
1
Всероссийский электротехнический институт, Москва, Россия
1
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
1
Федеральное государственное унитарное предприятие Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
1
Вильнюсский университет, Физический факультет, Институт материаловедения и прикладных наук, Вильнюс, Литва
1
Вильнюсский университет, Физический факультет, кафедра физики полупроводников, Вильнюс, Литва
1