"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Емкостные исследования электронных ловушек в низкотемпературном арсениде галлия
Брунков П.Н.1, Гуткин А.А.1, Моисеенко А.К.1, Мусихин Ю.Г.1, Чалдышев В.В.1, Черкашин Н.Н.1, Конников С.Г.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 8 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Проведено исследование электронных ловушек в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200-300oC (LT-GaAs). Для этого использовалась емкостная спектроскопия глубоких уровней в барьерах Шоттки на n-GaAs, область объемного заряда которых содержала встроенный слой LT-GaAs толщиной ~0.1 мкм. Размер кластеров мышьяка, образующихся в LT-GaAs в результате отжига при 580oC, варьировался за счет изменения температуры роста. Обнаружено, что в слоях LT-GaAs, выращенных при 200oC и содержащих кластеры мышьяка диаметром 6-8 нм, появляются два новых типа электронных ловушек с энергиями активации термической эмиссии электронов 0.47 и 0.59 эВ и концентрацией ~1017 см-3, что сравнимо с концентрацией кластеров мышьяка, определенной с помощью просвечивающей электронной микроскопии. В слоях LT-GaAs, выращенных при 300oC, в которых кластеры мышьяка не наблюдались, обнаружены ловушки с энергией активации 0.61 эВ. Обсуждается связь этих электронных уровней с системой кластеров As и точечных дефектов в LT-GaAs.
  1. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
  2. M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991)
  3. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  4. T.-C. Lin, T. Okumura. Jap. J. Appl. Phys., 35, 1630 (1996)
  5. A.C. Warren, N. Katzenellenbogen, D. Grischkowsky, J.M. Woodall, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 58, 1512 (1991)
  6. P.A. Loukakos, C. Kalpouzos, I.E. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Logaki, C. Fotakis. Appl. Phys. Lett., 79, 2883 (2001)
  7. P.A. Loukakos, C. Kalpouzos, I.E. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Sfendourakis, G. Kostantinidis, C. Fotakis. J. Appl. Phys., 91, 9863 (2002)
  8. C.H. Goo, W.S. Lau, T.C. Chong, L.S. Tan. Appl. Phys. Lett., 69, 2543 (1996).
  9. C. Steen, V. Oechsner, V. Donсhev, S. Malzer, G.H. Doehler, P. Kiesel. Proc. 4-=SUP=-th-=/SUP=- Symp. on Non-Stoichiometric III--V Compounds (Asilomar, USA, 2002), ed. by P. Specht, T.R. Weatherford, P. Kiesel, T. Marek and S. Malzer (Lehrstuhl fur Mikrocharakterisierung Friedrich--Alexander--Universitat, Erlangen--Nurnberg, 2002) p. 37
  10. T.C. Lin, H.T. Kaibe, T. Okumura. Jap. J. Appl. Phys., 33, L1651 (1994)
  11. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  12. В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.Е. Куницын, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, P. Werner. ФТТ, 32, 1161 (1998)
  13. П.Н. Брунков, В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.А. Суворова, С.Г. Конников, А.В. Черниговский, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 32, 1170 (1998)
  14. П.Н. Брунков, В.В. Чалдышев, А.В. Черниговский, А.А. Суворова, Н.А. Берт, С.Г. Конников, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 34, 1109 (2000)
  15. Jian H. Zhao, Jyh-Chwen Lee, Z.Q. Fang, T.E. Schlesinger, A.G. Milnes. J. Appl. Phys., 61, 5303 (1987)
  16. Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, В.В. Преображенский, В.В. Чалдышев. Известия ВУЗов. Физика, 45 (8), 3 (2002)
  17. G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.