"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Осцилляции наведенного фотоплеохроизма в гетеропереходах ZnO / GaAs
Никитин С.Е.1, Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1, Fernelius N.1, Goldstein J.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Методом магнетронного осаждения тонких пленок n-ZnO : Al на поверхность эпитаксиальных слоев n- и p-GaAs получены анизотипные и изотипные гетеропереходы ZnO / GaAs. Показано, что в широкой спектральной области 1.5-3.2 эВ полученные гетероструктуры обладают высокой фоточувствительностью (~5·103 В / Вт при 300 K), которая осциллирует вследствие интерференции излучения в тонкопленочной компоненте. При наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность пленок ZnO в гетеропереходе возникает наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в пределах ~1-55% при theta=85o, что также связано с интерференцией излучения в пленке ZnO. Сделан вывод о перспективности применения полученных гетеропереходов в качестве узкоселективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.
  1. Ю.В. Рудь. Изв. вузов СССР. Физика, 29, 68 (1986)
  2. Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Г.В. Шок. ФТП, 33, 513 (1999)
  3. С.Г. Конников, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, М. Сергинов. Письма ЖТФ, 18 (12), 38 (1992)
  4. С.Г. Конников, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, А. Беркелиев, М.Г. Дурдымурадова, О.В. Корнякова. Письма ЖТФ, 19 (4), 57 (1993)
  5. С.Г. Конников, Г.Д. Мелебаева, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, М. Сергинов. Письма ЖТФ, 18 (24), 32 (1992)
  6. S.G. Konnikov, D. Melebaev, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', A. Berkeliev, M. Serginov, S. Tilevov. Jap. J. Appl. Phys., 32 (3), 515 (1993)
  7. N. Mardeesich. In: Proc 15th IEEE Photovoltaic Spec. Conf. (Kissimee, 1981) [IEEE El. Dev. Lett., N 4, 446 (1981)]
  8. Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, W. Fuhs, A. Froitzheim. ФТП, 36, 1128 (2002)
  9. С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 37 (11), 1329 (2003)
  10. E. Aperathirtis, Z. Hatzpoulos, M. Androulidaki, V. Foukaraki, A. Kondilis, C.G. Scott, D. Sands, P. Panayotatos. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 45, 161 (1997)
  11. S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices (N. Y., Willey Interscience Publ., 1981)
  12. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой. (М., Наука, 1979)
  13. A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
  14. H. Ohta, H. Miroguch, M. Hirano. Appl. Phys. Lett., 82, 823 (2003)
  15. Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Наука, 1976)
  16. G.A. Medvedkin., Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.