Вышедшие номера
Исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках CdXHg1-XTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Бахтин П.А.1, Дворецкий С.А.1, Варавин В.С.1, Коробкин А.П.1, Михайлов Н.Н.1, Сидоров Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Проведено исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках CdXHg1-XTe (КРТ) при 77 K. Пленки n-типа с X=0.21-0.23 были выращены на подложках GaAs ориентации (013) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено уменьшение проводимости и коэффициента Холла в 3-5 раз при изменении магнитного поля от 0 до 1 Тл. Показано, что такие зависимости хорошо описываются в рамках двухслойной модели с высокой и низкой подвижностью электронов. Анализ измерений при послойном стравливании пленок показал, что пленку КРТ можно представить в виде двухслойной структуры. При этом тонкий слой, имеющий высокую концентрацию электронов с низкой подвижностью, расположен у границы с буферным слоем CdTe. Высокая концентрация электронов с низкой подвижностью в этом слое может быть обусловлена повышенной дефектностью слоя. Исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии показали наличие сетки дислокаций в пленке КРТ у границы с буферным слоем.