"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Трансформация спектров фотолюминесценции слоев GaAs, сильно легированных бериллием, после гидростатического сдавливания
Шамирзаев Т.С.1, Журавлев К.С.1, Bak-Misiuk J.2, Misiuk A.3, Domagala J.Z.2, Adamczewska J.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
3Institute of Electron Technology, 02-668 Warsaw, Poland
Поступила в редакцию: 21 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Изучалось влияние отжига при высоких температурах и высоких гидростатических давлениях на фотолюминесценцию сильно легированных слоев GaAs : Be, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs. В спектрах слоев с концентрацией атомов бериллия более 5· 1019-3 после обработки обнаружено "синее" смещение полосы краевой люминесценции и возрастание относительной интенсивности плеча, лежащего на высокоэнергетическом крыле полосы краевой фотолюминесценции. В этих же слоях наблюдалось концентрационное уменьшение параметра кристаллической решетки GaAs, отличное от закона Вегарда. Наблюдаемые эффекты объяснены образованием включений бериллия при высоких уровнях легирования GaAs. Из-за разности коэффициентов сжимаемости и термического расширения GaAs, с одной стороны, и включений бериллия, с другой стороны, обработка при высоких температурах и высоких давлениях приводит к образованию структурных дефектов и, как следствие, к возрастанию вероятности непрямых в k-пространстве излучательных переходов.
  1. R.K. Ahrenkiel, R. Ellingson, W. Metzger, D.I. Lubyshev, W.K. Lui. Appl. Phys. Lett., 78, 1879 (2001)
  2. A. Misiuk. Mater. Phys. Mech., 1, 119 (2002)
  3. К.С. Журавлев, В.А. Колосанов, М. Холланд, И.И. Мароховка. ФТП, 31, 1436 (1997)
  4. P.F. Fewster, N.L. Andrew. J. Appl. Cryst., 28, 451 (1995)
  5. К.С. Журавлев, А.В. Калагин, Н.Т. Мошегов, А.И. Торопов, Т.С. Шамирзаев, О.А. Шегай. ФТП, 30, 1704 (1996)
  6. S. Kim, M.-S. Kim, K.S. Eom, S.-K. Min. J. Appl. Phys., 73, 4703 (1993)
  7. D. Olego, M. Cardona. Phys. Rev. B, 22, 886 (1980)
  8. J. Bak-Misiuk, A. Misiuk, K.S. Zhuravlev, J.Z. Domagala, J. Adamczewska, V.V. Preobrazhenskii. Physica B, 308--310, 820 (2001)
  9. T. Figielski. Phys. St. Sol., 1, 306 (1961)
  10. Wei Li, M. Pessa. Phys. Rev. B, 57, 14 627 (1997)
  11. M. Leszczynski, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, J. Muszalski, M. Kaniewska, J. Marczewski. Appl. Phys. Lett., 67, 5399 (1995)
  12. J. Jung. Phil. Mag., A30, 257 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.