"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Импеданс твердых растворов на основе теллурида свинца, легированного галлием
Акимов Б.А.1, Прядун В.В.1, Рябова Л.И.1, Хохлов Д.Р.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb0.94Ge0.06Te(Ga) исследован в диапазоне частот от 102 до 106 Гц при температурах от 4.2 до 300 K. Показано, что эффекты, связанные с долговременными релаксационными процессами, не являются следствием сегнетоэлектрического фазового перехода, поскольку наблюдаются при существенно более низких температурах. Низкотемпературные особенности поведения емкости в Pb0.94Ge0.06Te(Ga) рассматриваются как вклад примесной подсистемы.
  1. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
  2. Б.А. Акимов, А.В. Албул, И.И. Иванчик, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. ФТП, 27, 355 (1993)
  3. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, L.A. Skipetrova, V.V. Belousov, A.M. Musaitin. J. Cryst. Growth, 210, 292 (2000)
  4. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, V.V. Belousov, L.A. Skipetrova, E.I. Slynko. Phys. St. Sol. ( b), 221, 549 (2000)
  5. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, O.S. Volkova, E.I. Slynko, A.M. Musaitin. Mater. Sci. Eng., B91-- 92, 416 (2002)
  6. А.И. Лебедев, Х.А. Абдуллин. ФТП, 18, 624 (1984)
  7. J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-14, 63 (1967)
  8. Е.П. Скипетров, А.Н. Некрасова, Д.В. Пелехов, Л.И. Рябова, В.И. Сидоров. ФТП, 28, 1626 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.