"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Роль объемного заряда в формировании сопротивления биполярного полупроводникового образца
Конин А.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 4 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

В линейном приближении по концентрациям неравновесных носителей заряда получено выражение, описывающее не зависящее от протекающего тока сопротивление биполярного полупроводника (закон Ома). Показано, что отклонение сопротивления от классического обусловлено возникающем в полупроводнике объемным зарядом. В зависимости от соотношения приповерхностных проводимостей электронов и дырок сопротивление образца может стать как больше, так и меньше классического. Этот эффект максимален в образцах с малой поверхностной рекомбинацией, длина которых значительно меньше диффузионной длины.
  1. И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 35, 321 (2001)
  2. W. Shockley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
  3. Ю.Г. Гуревич, Г.Н. Логвинов, Г. Эспехо, О.Ю. Титов, А. Мериуц. ФТП, 34, 783 (2000)
  4. Yu.G. Gurevich. J. Thermoelectricity, N 2, 5 (1997)
  5. O.Yu. Titov, J. Giraldo, Yu.G. Gurevich. Appl. Phys. Lett., 80, 3108 (2002)
  6. Г.Е. Пикус. ЖТФ, 26, 22 (1956)
  7. Г.П. Пека. Физические явления на поверхности полупроводников (Киев, Вища шк., 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.