Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe
Варавин В.С.1, Дворецкий С.А.1, Костюченко В.Я.1, Овсюк В.Н.1, Протасов Д.Ю.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 23 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Проведено исследование температурных зависимостей подвижности электронов в пленках Hg1-xCdxTe p-типа проводимости с x=0.210-0.223, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В диапазоне температур 125-300 K подвижность находили методом спектра подвижности, а для температур 77-125 K с помощью предложенного в данной работе метода магнитофотопроводимости. Метод основан на измерении магнитополевой зависимости фотопроводимости. Магнитное поле направлено параллельно излучению и перпендикулярно поверхности образца. Подвижность электронов определяется с помощью простого выражения mun [м2/В·с]=1/BH [Тл], где BH - индукция магнитного поля, соответствующая половине амплитуды сигнала фотопроводимости при нулевом магнитном поле. В температурном диапазоне 100-125 K результаты, полученные методами магнитофотопроводимости и спектра подвижности, совпадают. Для исследованных образцов подвижность электронов при температуре 77 K лежит в диапазоне 5-8 м2/В·c.
- M.C. Gold, D.A. Nelson. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 2040 (1986)
- N.Z. Talipov, V.N. Ovsyuk, V.G. Remesnik, V.V. Schaschkin. Mater. Sci. Eng. B, 44, 278 (1997)
- P. Moravec, R. Grill, J. Franc, R. Varghova, P. Hoschl, E. Belas. Semicond. Sci. Technol., 16, 7 (2001)
- W.A. Beck, J.R. Anderson. J. Appl. Phys., 62 (2), 541 (1987)
- J. Antoszewski, L. Faraone. J. Appl. Phys., 80 (7), 3881 (1996)
- Yongsheng Gui, Biao Li, Guozhen Zheng, Yong Chang, Shanli Wang, Li He, Junhao Chu. J. Appl. Phys., 84 (8), 4327 (1998)
- J.R. Meyer, C.A. Hoffman, J. Antoszewski, L. Faraone. J. Appl. Phys., 81 (2), 709 (1997)
- S. Barton, P. Capper, C.L. Jones, N. Metcalfe, N.T. Gordon. Semicond. Sci. Technol., 10, 56 (1995)
- В.Н. Овсюк, Д.Ю. Протасов, Н.Х. Талипов. Автометрия, N 5, 99 (1998)
- T.I. Baturina, P.A. Borodovski, S.A. Buldygin, S.A. Studenikin. Mater. Sci. Eng. B, 44, 283 (1997)
- G. Sarussi, A. Zemel, D. Eger. J. Appl. Phys., 72 (6), 2312 (1992)
- С.А. Студеникин, И.А. Панаев, В.Я. Костюченко, Х.-М.З. Торчинов. ФТП, 27, 744 (1993)
- C.A. Hoffman, J.R. Meyer, E.R. Youngdale, J.R. Lindle, F.J. Bartoli, K.A. Harris, J.W. Cook, J.F. Schetzina. Phys. Rev. B, 37 (12), 6933 (1988)
- S.E. Schacham, E. Finkman. J. Appl. Phys., 60 (8), 2860 (1986)
- Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, A.O. Suslyakov, V.N. Ovsyuk. Proc. SPIE, 4355, 228 (2001)
- V.V. Vasiliev, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov. Proc. SPIE, 5065, 39 (2001)
- F.F. Sizov, V.V. Vasiliev, D.G. Esaev, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, V.P. Reva, A.G. Golenkov, V.V. Zabudsky, J.V. Gumenjuk-Sychevskaya. Opto-Electron. Rev., 9 (4), 391 (2001)
- Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
- V.C. Lopes, A.S. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)
- Sang Dong Yoo, Kae Dal Kwack. J. Appl. Phys., 81 (2), 719 (1997)
- Ф.Дж. Блатт. Подвижность электронов в твердых телах (Л., Физматгиз, 1963)
- L.F. Lou, W.H. Frye. J. Appl. Phys., 56 (8), 2253 (1984).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
