"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe
Варавин В.С.1, Дворецкий С.А.1, Костюченко В.Я.1, Овсюк В.Н.1, Протасов Д.Ю.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Проведено исследование температурных зависимостей подвижности электронов в пленках Hg1-xCdxTe p-типа проводимости с x=0.210-0.223, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В диапазоне температур 125-300 K подвижность находили методом спектра подвижности, а для температур 77-125 K с помощью предложенного в данной работе метода магнитофотопроводимости. Метод основан на измерении магнитополевой зависимости фотопроводимости. Магнитное поле направлено параллельно излучению и перпендикулярно поверхности образца. Подвижность электронов определяется с помощью простого выражения mun2/В·с]=1/BH [Тл], где BH - индукция магнитного поля, соответствующая половине амплитуды сигнала фотопроводимости при нулевом магнитном поле. В температурном диапазоне 100-125 K результаты, полученные методами магнитофотопроводимости и спектра подвижности, совпадают. Для исследованных образцов подвижность электронов при температуре 77 K лежит в диапазоне 5-8 м2/В·c.
  1. M.C. Gold, D.A. Nelson. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 2040 (1986)
  2. N.Z. Talipov, V.N. Ovsyuk, V.G. Remesnik, V.V. Schaschkin. Mater. Sci. Eng. B, 44, 278 (1997)
  3. P. Moravec, R. Grill, J. Franc, R. Varghova, P. Hoschl, E. Belas. Semicond. Sci. Technol., 16, 7 (2001)
  4. W.A. Beck, J.R. Anderson. J. Appl. Phys., 62 (2), 541 (1987)
  5. J. Antoszewski, L. Faraone. J. Appl. Phys., 80 (7), 3881 (1996)
  6. Yongsheng Gui, Biao Li, Guozhen Zheng, Yong Chang, Shanli Wang, Li He, Junhao Chu. J. Appl. Phys., 84 (8), 4327 (1998)
  7. J.R. Meyer, C.A. Hoffman, J. Antoszewski, L. Faraone. J. Appl. Phys., 81 (2), 709 (1997)
  8. S. Barton, P. Capper, C.L. Jones, N. Metcalfe, N.T. Gordon. Semicond. Sci. Technol., 10, 56 (1995)
  9. В.Н. Овсюк, Д.Ю. Протасов, Н.Х. Талипов. Автометрия, N 5, 99 (1998)
  10. T.I. Baturina, P.A. Borodovski, S.A. Buldygin, S.A. Studenikin. Mater. Sci. Eng. B, 44, 283 (1997)
  11. G. Sarussi, A. Zemel, D. Eger. J. Appl. Phys., 72 (6), 2312 (1992)
  12. С.А. Студеникин, И.А. Панаев, В.Я. Костюченко, Х.-М.З. Торчинов. ФТП, 27, 744 (1993)
  13. C.A. Hoffman, J.R. Meyer, E.R. Youngdale, J.R. Lindle, F.J. Bartoli, K.A. Harris, J.W. Cook, J.F. Schetzina. Phys. Rev. B, 37 (12), 6933 (1988)
  14. S.E. Schacham, E. Finkman. J. Appl. Phys., 60 (8), 2860 (1986)
  15. Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, A.O. Suslyakov, V.N. Ovsyuk. Proc. SPIE, 4355, 228 (2001)
  16. V.V. Vasiliev, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov. Proc. SPIE, 5065, 39 (2001)
  17. F.F. Sizov, V.V. Vasiliev, D.G. Esaev, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, V.P. Reva, A.G. Golenkov, V.V. Zabudsky, J.V. Gumenjuk-Sychevskaya. Opto-Electron. Rev., 9 (4), 391 (2001)
  18. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
  19. V.C. Lopes, A.S. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)
  20. Sang Dong Yoo, Kae Dal Kwack. J. Appl. Phys., 81 (2), 719 (1997)
  21. Ф.Дж. Блатт. Подвижность электронов в твердых телах (Л., Физматгиз, 1963)
  22. L.F. Lou, W.H. Frye. J. Appl. Phys., 56 (8), 2253 (1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.