Вышедшие номера
Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe
Варавин В.С.1, Дворецкий С.А.1, Костюченко В.Я.1, Овсюк В.Н.1, Протасов Д.Ю.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Проведено исследование температурных зависимостей подвижности электронов в пленках Hg1-xCdxTe p-типа проводимости с x=0.210-0.223, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В диапазоне температур 125-300 K подвижность находили методом спектра подвижности, а для температур 77-125 K с помощью предложенного в данной работе метода магнитофотопроводимости. Метод основан на измерении магнитополевой зависимости фотопроводимости. Магнитное поле направлено параллельно излучению и перпендикулярно поверхности образца. Подвижность электронов определяется с помощью простого выражения mun2/В·с]=1/BH [Тл], где BH - индукция магнитного поля, соответствующая половине амплитуды сигнала фотопроводимости при нулевом магнитном поле. В температурном диапазоне 100-125 K результаты, полученные методами магнитофотопроводимости и спектра подвижности, совпадают. Для исследованных образцов подвижность электронов при температуре 77 K лежит в диапазоне 5-8 м2/В·c.