Исследование собирания носителей в CdZnTe-детекторах рентгеновского и gamma-излучения фотоэлектрическим методом
Косяченко Л.А.1, Маслянчук Е.Л.1, Раренко И.М.1, Склярчук В.М.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 10 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.
Рассмотрена схема возбуждения фотопроводимости, когда внешнее электрическое поле действует параллельно направлению распространения излучения. Проанализированы пространственное распределение неравновесных электронов и условия разделения электронно-дырочных пар (собирания носителей) в зависимости от величины приложенного к кристаллу напряжения. Предложена методика определения времени жизни электронов из измерений фотопроводимости.
- Y. Eisen, A. Shor. J. Cryst. Growth, 184 / 185, 1302 (1998)
- R.H. Redus, A.C. Huber, J.A. Pantazis. Nucl. Instrum. Meth., A458, 214 (2001)
- http: / www.amptek.com / a250ap.html
- M.R. Squillante, G. Entine. Nucl. Instrum Meth., A380, 160 (1996)
- M.A.J. van Pamelen, C. Budtz-Jorgensen, I. Kuvvetli. Nucl. Instrum. Meth., A439, 625 (2000)
- A.D.M. Hofmann, W. Stadler, P. Chrismann, B.K. Meyer. Nucl. Instrum. Meth., A380, 117 (1996)
- M. Jung, J. Morel, P. Fougeres, M. Hage-Ali, P. Sifferd. Nucl. Instrum. Meth., A428, 45 (1999)
- S. Kraft, M. Bavdaz, B. Castelletto, A. Peacock, F. Scholze, G. Ulm, M.-A. Gagliargi, S. Nenonen, T. Tuomi, M. Juvonen, R. Rantamaki. Nucl. Instrum. Meth., A418, 337 (1998)
- Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
- T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jap. J. Appl. Phys., 32, 3496 (1993).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
