"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пьезосопротивление в пленках поликристаллического кремния p-типа
Гридчин В.А.1, Любимский В.М.1
1Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 1 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.

Описан эффект пьезосопротивления в поликристаллическом кремнии p-типа при рассеянии дырок на межкристаллитных потенциальных барьерах. Величины коэффициентов эластосопротивления при этом типе рассеяния близки к величинам коэффициентов эластосопротивления при рассеянии на ионах примеси и акустических колебаниях решетки. Расхождение между экспериментальными и расчетными коэффициентами эластосопротивления, возможно, может быть устранено при учете изменения эффективных масс при деформации, несферичности валентной зоны, "малых эффектов", а также учете дополнительного (дополнительных) механизмов рассеяния.
  1. J. Suski, V. Mosser, J. Goss. Sens. Actuators, 17, 405 (1989)
  2. J. Suski, V. Mosser, G. Le Roux. Proc. Electrochem. Soc. Conf. (San Diego, CA, USA, Oct. 1986). p. 331
  3. E. Obermeir. Ph. D. Thesis (University of Munich, 1983)
  4. P.H. French, A.G.R. Evans. Sensors Actuators, 7, 135 (1985)
  5. D. Schubert, W. Jenschke, T. Uhlig, F.M. Schmidt. Sensors Actuators, 11, 145 (1987)
  6. V.A. Gridchin, V.M. Lubimsky, M.P. Sarina. Sensors Actuators, A49, 67 (1995)
  7. P.H. French, A.G.R. Evans. Electron. Lett., 24, 999 (1984)
  8. T. Toriyama, Y. Yokoyama, S. Sugiyama. Sensors Materials, 12, 473 (2000)
  9. P.H. French, A.G.R. Evans. Sol. St. Electron., 32, 1 (1989)
  10. M. Le Berre, M. Lemiti, D. Barbier, P. Pinard, J. Cali, E. Bustarret, J. Sicart, J.L. Robert. Sensors Actuators, A46-47, 166 (1995)
  11. В.А. Гридчин, В.М. Любимский. Микроэлектроника, 32, 261 (2003)
  12. V. Mosser, J. Suski, J. Goss, E. Obermeir. Sensors Actuators, A28, 113 (1991)
  13. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  14. Г.Е. Пикус, Г.Л. Бир. ФТТ, 1, 1828 (1959)
  15. В.А. Гридчин, В.М. Любимский, А.Г. Моисеев. ФТП (в печати)
  16. N.C.C. Lu, C.Y. Gerberg, C.Y. Lu, J.D. Meidl. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-28, 818 (1981)
  17. M. Granveaud, P. Malsan. Onde Electron., 47, 392 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.