"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10472
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
219

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1994 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Челноков В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Аникин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Сыркин А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Андреев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Полетаев Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
5
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Боднарь И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Игнатьев А.С.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
4
Немцев Г.З.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
4
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Малютенко В.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
4
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
4
Новиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кузнецов Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ковалевская Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куценко А.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Карачевцева М.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Страхов В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Яременко Н.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Алиев К.М.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3
Баширов Р.И.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3
Табатадзе И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Хакимов З.М.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Мухтаров А.П.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Царенков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коршак А.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Принц В.Я.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чукичев М.В.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
3
Резванов Р.Р.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
3
Юсупов А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Быстров С.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Туан Ле
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крещук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салихов X.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белов С.В.
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Центральный научно-исследовательский институт "Электрон"
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Коршунов Ф.П.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Ободников В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гуревич Ю.Г.
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
2
Стафеев В.И.
Институт проблем сенсорики Академии технологических наук,, Москва, Россия
2
Симашкевич А.А.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Шутов С.Д.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Мурин Д.И.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Добровольский В.Н.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2
Варданян Б.Р.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина Московский государственный университет, Москва, Россия
2
Юнович А.Э.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина Московский государственный университет, Москва, Россия
2
Гулямов Г.
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Голубок А.О.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Типисев С.Я.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Голант Е.И.
Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'', Фрязино, Россия
2
Пашковский А.Б.
Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'', Фрязино, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Лупачева А.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Мелешко Н.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Константинов А.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильинский А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мельников М.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пышная Н.Б.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Тигиняну И.М.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Домашевская Э.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Терехов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Меркулов И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Родина А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Энтин М.В.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Мавлянов Х.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гаджиалиев М.М.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Караваев Г.Ф.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мальханов С.Е.
Технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Попов В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Саратов, Россия
2
Оконечников А.П.
Уральский политехнический институт им. С.М.Кирова, Екатеринбург, Россия
2
Мельник Н.Н.
Уральский политехнический институт им. С.М.Кирова, Екатеринбург, Россия
2
Акопян А.А.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Каримов И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Явич Б.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шелушинина Н.Г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Гуревич С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочнев И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Усиков А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Осадчий В.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Дощанов К.М.
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Назарова Л.Д.
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
2
Левин А.А.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Павлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Архипов В.И.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Данишевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левченко В.И.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Постнова Л.И.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Дикарева В.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Врубель М.М.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
2
Богданов Е.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Ломако В.М.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дубровский Ю.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Емцев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Полоскин Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Катеринчук В.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Огородник А.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Булдыгин А.Ф.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ремесник В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Вывенко О.Ф.
Научно-исследовательский институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете,, Санкт-Петербург, Россия
2
Вавилов В.С.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
2
Лигачев В.А.
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Феклисова О.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Ярыкин Н.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Витусевич С.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Белецкий А.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Утамурадова Ш.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Батукова Л.М.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Аронов Д.А.
Научно-производственное объединение "Физика
1
Исаев X.И.
Научно-производственное объединение "Физика
1
Ильин В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Прошин В.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Криволапчук В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Стругова Е.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дроздова И.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Уйманов Е.В.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
1
Морозова Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бучин Э.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Мокроусов Н.Е.
Институт микроэлектроники Российской академии наук,, Ярославль, Россия
1
Козлов И.Н.
Институт проблем сенсорики Академии технологических наук,, Москва, Россия
1
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Синявский Э.П.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Тагер А.С.
Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'',, Фрязино, Россия
1
Айвазов А.А.
Московский государственный институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Некрасов А.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Ляпинин И.И.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Чернобай В.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Андаспаева А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Охрем В.Г.
Черновицкий государственный университет им. Ю.Федьковича,, Черновцы, Украина
1
Ковалюк М.З.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Дианов Е.М.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Вайполин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Елесин В.Ф.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
1
Леринман Н.К.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Макаренко Л.Ф.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
1
Рябченко Ю.С.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Курбатов В.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Кохановский С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Нестеров С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Юрчук С.Ю.
Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
1
Мороженко В.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Зубкова Т.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Рабизо О.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Пахомов А.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Капустин Ю.А.
Воронежский государственный педагогический институт, Воронеж, Россия
1
Пономарев А.Н.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
1
Гусев О.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пустовит А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Ларкин И.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Богданюк Н.С.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
1
Тагирджанов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Биленко Д.И.
Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им. Н.Г.Чернышевского,, Саратов, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
96
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
11
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
11
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
9
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
9
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
7
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
6
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
6
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
5
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
3
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
3
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
3
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
3
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
2
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
2
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,, Улугбек, Узбекистан
2
Технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Саратов, Россия
2
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
2
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Сямыньский университет,, Сямынь, Китайская народная республика
1
Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алмааты, Казахстан
1
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
1
Тернопольский государственный педагогический институт им. Я. О. Галана,, Тернополь, Украина
1
Научно-производственное объединение "Физика
1
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана, Ашгабад, Туркменистан
1
Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова,, Екатеринбург, Россия
1
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
1
Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
1
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
1
Ташкентский государственный технический университет им. Беруни,, Ташкент, Узбекистан
1
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
1
Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Ecole Polytchnique,, Palaiseau Cedex, France
1
Научно-производственное объединение "Орион",, Москва, Россия
1
Воронежский политехнический институт, Воронеж, Россия
1
Институт микроэлектроники Российской академии наук,, Ярославль, Россия
1