Челноков В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Аникин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Сыркин А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Андреев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Полетаев Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
5
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Боднарь И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Игнатьев А.С.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
4
Немцев Г.З.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
4
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Малютенко В.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
4
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
4
Новиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кузнецов Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ковалевская Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куценко А.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Карачевцева М.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Страхов В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Яременко Н.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Алиев К.М.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3
Баширов Р.И.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3
Табатадзе И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Хакимов З.М.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Мухтаров А.П.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Царенков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коршак А.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Принц В.Я.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чукичев М.В.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
3
Резванов Р.Р.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
3
Юсупов А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Быстров С.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Туан Ле
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крещук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салихов X.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белов С.В.
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Центральный научно-исследовательский институт "Электрон"
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Коршунов Ф.П.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Ободников В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гуревич Ю.Г.
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
2
Стафеев В.И.
Институт проблем сенсорики Академии технологических наук,, Москва, Россия
2
Симашкевич А.А.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Шутов С.Д.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Мурин Д.И.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Добровольский В.Н.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2
Варданян Б.Р.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина Московский государственный университет, Москва, Россия
2
Юнович А.Э.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина Московский государственный университет, Москва, Россия
2
Гулямов Г.
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Голубок А.О.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Типисев С.Я.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Голант Е.И.
Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'', Фрязино, Россия
2
Пашковский А.Б.
Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'', Фрязино, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Лупачева А.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Мелешко Н.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Константинов А.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильинский А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мельников М.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пышная Н.Б.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Тигиняну И.М.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Домашевская Э.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Терехов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Меркулов И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Родина А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Энтин М.В.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Мавлянов Х.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гаджиалиев М.М.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Караваев Г.Ф.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мальханов С.Е.
Технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Попов В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Саратов, Россия
2
Оконечников А.П.
Уральский политехнический институт им. С.М.Кирова, Екатеринбург, Россия
2
Мельник Н.Н.
Уральский политехнический институт им. С.М.Кирова, Екатеринбург, Россия
2
Акопян А.А.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Каримов И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Явич Б.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шелушинина Н.Г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Гуревич С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочнев И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Усиков А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Осадчий В.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Дощанов К.М.
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Назарова Л.Д.
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
2
Левин А.А.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Павлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Архипов В.И.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Данишевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левченко В.И.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Постнова Л.И.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Дикарева В.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Врубель М.М.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
2
Богданов Е.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Ломако В.М.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дубровский Ю.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Емцев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Полоскин Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Катеринчук В.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Огородник А.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Булдыгин А.Ф.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ремесник В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Вывенко О.Ф.
Научно-исследовательский институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете,, Санкт-Петербург, Россия
2
Вавилов В.С.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
2
Лигачев В.А.
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Феклисова О.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Ярыкин Н.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Витусевич С.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Белецкий А.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Утамурадова Ш.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Батукова Л.М.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Аронов Д.А.
Научно-производственное объединение "Физика
1
Исаев X.И.
Научно-производственное объединение "Физика
1
Ильин В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Прошин В.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Криволапчук В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Стругова Е.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дроздова И.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Уйманов Е.В.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
1
Морозова Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бучин Э.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Мокроусов Н.Е.
Институт микроэлектроники Российской академии наук,, Ярославль, Россия
1
Козлов И.Н.
Институт проблем сенсорики Академии технологических наук,, Москва, Россия
1
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Синявский Э.П.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Тагер А.С.
Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'',, Фрязино, Россия
1
Айвазов А.А.
Московский государственный институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Некрасов А.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Ляпинин И.И.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Чернобай В.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Андаспаева А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Охрем В.Г.
Черновицкий государственный университет им. Ю.Федьковича,, Черновцы, Украина
1
Коротченков О.А.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
1
Ковалюк М.З.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Дианов Е.М.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Вайполин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Елесин В.Ф.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
1
Леринман Н.К.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Макаренко Л.Ф.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
1
Рябченко Ю.С.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Курбатов В.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Кохановский С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Нестеров С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Юрчук С.Ю.
Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
1
Мороженко В.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Зубкова Т.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Рабизо О.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Пахомов А.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Капустин Ю.А.
Воронежский государственный педагогический институт, Воронеж, Россия
1
Пономарев А.Н.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
1
Гусев О.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пустовит А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Ларкин И.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Богданюк Н.С.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
1
Тагирджанов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук