"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Теория контактного поля в барьерной структуре металл--полупроводниковая сверхрешетка
Бычковский Д.Н.1, Константинов О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Предложена теория, позволяющая связать высоту и ширину ступенчатых особенностей на вольт-фарадной характеристике диода Шоттки со сверхрешеткой с параметрами этой сверхрешетки. Сравнение теории с результатами ранее опубликованных экспериментов показало, что в сверхрешетке имеется большая плотность заряженных дефектов, встроенных в стенки квантовых ям. Заполнение ям определяется главным образом электронами, пришедшими с этих стеночных дефектов. Определены поверхностные концентрации дефектов в трех ямах, ближайших к поверхности, причем оказалось, что концентрации дефектов в стенках различных ям отличаются в несколько раз. Изучение вольт-фарадной характеристики при низких температурах приводит к выводу о наличии туннелирования электронов между ямами сквозь весьма толстые барьеры порядка трехсот ангстрем.
  1. В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, Е.Р. Линькова, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП, \bf 27, 931 (1993)
  2. Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов. ФТП, 26, 921 (1991)
  3. Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов, М.М. Панахов. ФТП, \bf 26, 653 (1992)
  4. \it The Semicinductior Card-Compliments of Howard University. Mater. Sci. Res. Center of Excellence (Washington, DC, 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.