"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs--GaAs
Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Максимов М.В.1, Табатадзе И.Г.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Мы исследовали оптические свойства структур InGaAs-GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Рост осуществлялся путем попеременного осаждения молекул InAs и GaAs на поверхности GaAs (100). Количество InAs, осажденного во время каждого цикла, соответствовало слою со средней толщиной 1 Angstrem. На начальной стадии роста (In,Ga)As картина дифракции быстрых электронов соответствовала планарной поверхности, однако при достижении некоторой критической толщины в ней наблюдались изменения, связанные с трансформацией упруго-напряженного слоя в массив трехмерных зародышей (In,Ga)As, которые затем заращивались GaAs. Уменьшение температуры подложки приводило к увеличению критической толщины слоя (In,Ga)As, и таким образом могли быть получены как гетероструктуры с квантовыми ямами, так и с квантовыми кластерами при одном и том же среднем количестве осажденного материала. В спектрах фотолюминесценции и в спектрах возбуждения люминесценции структур с кластерами наблюдался пик, сильно смещенный в длинноволновую сторону от положения, соответствующего случаю слоевого роста, с шириной 30-40 мэВ, который доминировал в спектре вплоть до высоких плотностей возбуждения и температур наблюдения. Впервые наблюдалась лазерная генерация через состояния квантовых кластеров.
  1. H. Sakaki. Japan. J. Appl. Phys., 19, L735 (1980)
  2. P.M. Petroff, J. Gaines, M. Tsuchiya, R. Simes, L. Coldren, H. Kroemer, J. English, A.C. Gossard. J. Cryst. Growth, \bf 95, 260 (1989)
  3. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohentein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., \bf 68, 3812 (1991)
  4. M. Kasu, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., \bf 62, 1262 (1993)
  5. Ж.И. Алферов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.И. Иванов, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, В.М. Устинов. ФТП, \bf 26, 1715 (1992)
  6. P.J. Pearah, A.C. Chen, A.M. Moy, K.C. Hsieh, K.Y. Cheng. J. Cryst. Growth, \bf 127, 900 (1993)
  7. J.F. Carlin, R. Houdre, A. Rudra, M. Ilegems. Appl. Phys. Lett., \bf 59, 3018 (1991)
  8. J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., \bf 70, 2782 (1993)
  9. А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, \bf 28, 604 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.