Вышедшие номера
Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs--GaAs
Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Максимов М.В.1, Табатадзе И.Г.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Мы исследовали оптические свойства структур InGaAs-GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Рост осуществлялся путем попеременного осаждения молекул InAs и GaAs на поверхности GaAs (100). Количество InAs, осажденного во время каждого цикла, соответствовало слою со средней толщиной 1 Angstrem. На начальной стадии роста (In,Ga)As картина дифракции быстрых электронов соответствовала планарной поверхности, однако при достижении некоторой критической толщины в ней наблюдались изменения, связанные с трансформацией упруго-напряженного слоя в массив трехмерных зародышей (In,Ga)As, которые затем заращивались GaAs. Уменьшение температуры подложки приводило к увеличению критической толщины слоя (In,Ga)As, и таким образом могли быть получены как гетероструктуры с квантовыми ямами, так и с квантовыми кластерами при одном и том же среднем количестве осажденного материала. В спектрах фотолюминесценции и в спектрах возбуждения люминесценции структур с кластерами наблюдался пик, сильно смещенный в длинноволновую сторону от положения, соответствующего случаю слоевого роста, с шириной 30-40 мэВ, который доминировал в спектре вплоть до высоких плотностей возбуждения и температур наблюдения. Впервые наблюдалась лазерная генерация через состояния квантовых кластеров.