"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики полупроводниковых структур сферической геометрии с антизапорными контактами
Акопян А.А.1, Малютенко В.К.1, Тесленко Г.И.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Неоднородное электрическое поле в кристаллах сферической симметрии приводит к качественно новым особенностям эксклюзии. Вольт-амперные характеристики симметричных структур типа p+-p-p+ становятся несимметричными. При эксклюзии от периферии сферы к ее центру на воль-амперной характеристике формируется параболический участок вида i~ V2, обусловленный значительной аккумуляцией носителей в окрестности малого радиуса. При эксклюзии от центрального контакта длина области с пониженной концентрацией носителей Le аномально слабо зависит от величины тока (Le~ i1/3). Объект исследований - германий с собственной проводимостью при температуре измерений T>225 K.
  1. А.А.Акопян, В.К.Малютенко. Письма ЖТФ, 18, 1 (1992)
  2. А.А.Акопян, В.К.Малютенко, С.А.Витусевич. ФТП, \bf 28, 21 (1994)
  3. А.А.Акопян, С.А.Витусевич, В.К.Малютенко. ФТП, \bf 21, 1783 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.