"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Глубокие уровни в моно- и поликристаллическом ZnSe, облученном электронами
Оконечников А.П.1, Мельник Н.Н.1
1Уральский политехнический институт им. С.М.Кирова, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 7 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Изучено влияние структуры ZnSe на образование и отжиг радиационных дефектов.
  1. D. Verity, F.J. Bryant, J.J. Davies, J.E. Nicholls, C.G. Scott, D. Shaw. J. Phys. C.: Sol. St. Phys., \bf 15, 5497 (1982)
  2. A. Heurtel, R. Leqras, Y. Marfaing et al. Mater. Sci. Forum., \bf 10--12, 835 (1986)
  3. \it Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1977)
  4. S. Hurtes, M. Boulou, A. Mittonneau et al. Appl. Phys. Lett., \bf 32, 821 (1978)
  5. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  6. Н.Н. Мельник, А.П. Оконечников. ПТЭ, вып. 5, 71 (1986)
  7. \it Поликристаллические полупроводники: \it Физические свойства и применения, под ред. Г. Харбеке (М., Мир, 1989)
  8. Г. Матаре. \it Электроника дефектов в полупроводниках (М., 1974)
  9. P. Besomi, B.W. Wessels. J. Appl. Phys., 53, 3076 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.