Глубокие уровни в моно- и поликристаллическом ZnSe, облученном электронами
Оконечников А.П.1, Мельник Н.Н.1
1Уральский политехнический институт им. С.М.Кирова, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 7 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.
Изучено влияние структуры ZnSe на образование и отжиг радиационных дефектов.
- D. Verity, F.J. Bryant, J.J. Davies, J.E. Nicholls, C.G. Scott, D. Shaw. J. Phys. C.: Sol. St. Phys., \bf 15, 5497 (1982)
- A. Heurtel, R. Leqras, Y. Marfaing et al. Mater. Sci. Forum., \bf 10--12, 835 (1986)
- \it Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1977)
- S. Hurtes, M. Boulou, A. Mittonneau et al. Appl. Phys. Lett., \bf 32, 821 (1978)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- Н.Н. Мельник, А.П. Оконечников. ПТЭ, вып. 5, 71 (1986)
- \it Поликристаллические полупроводники: \it Физические свойства и применения, под ред. Г. Харбеке (М., Мир, 1989)
- Г. Матаре. \it Электроника дефектов в полупроводниках (М., 1974)
- P. Besomi, B.W. Wessels. J. Appl. Phys., 53, 3076 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук