"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние электрон-плазмонного рассеяния на транспортные характеристики горячих электронов в вырожденном GaAs
Багаева Т.Ю.1, Попов В.В.1, Солодская Т.И.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

С помощью моделирования методом Монте-Карло показано, что электрон-плазмонное рассеяние существенно влияет на транспортные характеристики горячих электронов в вырожденном GaAs. Однако это влияние оказывается значительно меньшим, чем было предсказано в предыдущих работах других авторов.
  1. K. Diff, K. Brennan. J. Appl. Phys., 69, 3097 (1991)
  2. N. Mansour, K. Diff, K. Brennan. J. Appl. Phys., \bf 70, 6854 (1991)
  3. О. Маделунг. Теория твердого тела (М., 1980)
  4. P. Lugli, D.K. Ferry. Appl. Phys. Lett., 46, 595 (1985)
  5. W. Fawcett, A.D. Boardman, S. Swain. Phys. Chem. Sol., \bf 31, 1963 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.