"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксация емкости туннельно-тонких МДП структур кремний--фторид кальция--золото, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Альварес Х.К.1, Берман Л.С.1, Каримов И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Исследованы глубокоуровневые центры во фториде кальция туннельно-тонких МДП структур n-Si-CaF2-Au, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Использовался метод изометрической релаксации емкости. После переключения напряжения на МДП структуре временная зависимость емкости немонотонна. Предложена физическая модель, объясняющая экспериментальные данные. Показано, что глубокоуровневые центры имеются во фториде кальция как вблизи кремния, так и вблизи золота. Разработан метод вычисления временной зависимости заряда этих центров и вычислено изменение заряда после различных переключений.
  1. Х.К.Альварес, Л.С.Берман, В.А.Боревич, И.В.Грехов, И.Н.Каримов, Н.С.Соколов, А.Ф.Шулейкин. ФТП, \bf 28, 346 (1994)
  2. C.Barret, F.Chekir, A.Vapaille. J. Phys. C: Sol. St. Phys., \bf 16, 2421 (1983)
  3. W.Shockley, W.Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
  4. Г.Е.Пикус. \it Основы теории полупроводниковых приборов (М., 1965)
  5. E.H.Nicollian, J.R.Brews. \it MOS (Metal Oxide Semiconductor). Physics and Technology (N.Y., 1982)
  6. Л.С.Берман, А.Д.Ременюк, М.Г.Толстобров. Препринт ФТИ АН СССР, N 974 (Л., 1985)
  7. M.Vos, F.Xu, T.H.Weaver. J. Appl. Phys., 66, 2467 (1989)
  8. C.T.Sah. Sol. St. Electron., 33, 147 (1990)
  9. L.B.Freeman, W.E.Dahlke. Sol. St. Electron., \bf 13, 1483 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.