"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
<<Эффект резервуара>> при термической делокализации носителей заряда у межфазной границы кремний--окисел
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Пономарев А.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 16 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Проведены экспериментальные исследования электрической релаксации границы раздела Si-SiO2 от состояния глубокого неравновесного обеднения к равновесию. Показано, что релаксационные сигналы - временные и температурные зависимости тока разряда и высокочатотной емкости Si-МОП структуры - не отвечают классическим представлениям об опустошении локализованных электронных состояний, связанных либо с микроскопическими дефектами, либо с флуктуационным потенциалом. Развита модель макроскопичвких образований в объеме окисла и у границы его раздела с полупроводником, позволяющая объяснить все основные особенности наблюдавшихся релаксационных сигналов переполяризацией макроскопических образований в толще окисла и изменением заполнения пограничных макроскопических резервуаров (сгустков локализованных электронных состояний), являющихся коллективными центрами захвата для основных носителей заряда.
  1. M. Schulz. Surf. Sci., 132, 422 (1983)
  2. В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
  3. D. Vuillaume, M. Lannoo, J.C. Bourgoin, E. Rosencher. J. Appl. Phys., \bf 66, 5920 (1989)
  4. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. Письма ЖЭТФ, \bf 57, 783 (1993)
  5. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, \bf 26, 2048 (1992)
  6. J.G. Simons, H.A. Mar. Phys. Rev. B, 8, 3865 (1973)
  7. А.А. Лебедев, В. Экке, В.С. Юферев. ФТП, \bf 19, 1791 (1985)
  8. E.I. Goldman, A.G. Zdan. Semicond. Sci. Techn., \bf 5, 675 (1990)
  9. Е.И. Гольдман. ФТП, 26, 766 (1992)
  10. В.В. Антонов-Романовский. Опт. и спектр., \bf 7, 827 (1959)
  11. В.В. Антонов-Романовский. Опт. и спектр., \bf 10, 644 (1961)
  12. E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS \it (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology Willey, N.Y., (1982)
  13. N.M. Johnson. J. Vac. Sci. Techn., 21, 303 (1982)
  14. И.С. Желудев. \it Физика кристаллических диэлектриков, (М., Наука, 1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.