<<Эффект резервуара>> при термической делокализации носителей заряда у межфазной границы кремний--окисел
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Пономарев А.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 16 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Проведены экспериментальные исследования электрической релаксации границы раздела Si-SiO2 от состояния глубокого неравновесного обеднения к равновесию. Показано, что релаксационные сигналы - временные и температурные зависимости тока разряда и высокочатотной емкости Si-МОП структуры - не отвечают классическим представлениям об опустошении локализованных электронных состояний, связанных либо с микроскопическими дефектами, либо с флуктуационным потенциалом. Развита модель макроскопичвких образований в объеме окисла и у границы его раздела с полупроводником, позволяющая объяснить все основные особенности наблюдавшихся релаксационных сигналов переполяризацией макроскопических образований в толще окисла и изменением заполнения пограничных макроскопических резервуаров (сгустков локализованных электронных состояний), являющихся коллективными центрами захвата для основных носителей заряда.
- M. Schulz. Surf. Sci., 132, 422 (1983)
- В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
- D. Vuillaume, M. Lannoo, J.C. Bourgoin, E. Rosencher. J. Appl. Phys., \bf 66, 5920 (1989)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. Письма ЖЭТФ, \bf 57, 783 (1993)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, \bf 26, 2048 (1992)
- J.G. Simons, H.A. Mar. Phys. Rev. B, 8, 3865 (1973)
- А.А. Лебедев, В. Экке, В.С. Юферев. ФТП, \bf 19, 1791 (1985)
- E.I. Goldman, A.G. Zdan. Semicond. Sci. Techn., \bf 5, 675 (1990)
- Е.И. Гольдман. ФТП, 26, 766 (1992)
- В.В. Антонов-Романовский. Опт. и спектр., \bf 7, 827 (1959)
- В.В. Антонов-Романовский. Опт. и спектр., \bf 10, 644 (1961)
- E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS \it (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology Willey, N.Y., (1982)
- N.M. Johnson. J. Vac. Sci. Techn., 21, 303 (1982)
- И.С. Желудев. \it Физика кристаллических диэлектриков, (М., Наука, 1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук